TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

dokumen-dokumen yang mirip
Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

Daerah Operasi Transistor

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

Dioda-dioda jenis lain

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

Divais Elektronika TRANSISTOR

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

Elektronika (TKE 4012)

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

Bias dalam Transistor BJT

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT)

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

BAB II LANDASAN TEORI. 2.1 Rangkaian Pembangkit Pulsa (Clock) Rangkaian ini berhubuhan dengan rangkaian Multivibrator.

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Modul 05: Transistor

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

struktur dua dimensi kristal Silikon

Pada transistor npn, seluruh polaritas arus dan tegangan merupakan kebalikan dari transistor pnp.

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya

Multimeter. NAMA : Mulki Anaz Aliza NIM : Kelas : C2=2014. Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas. Lompat ke: navigasi, cari

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA

SATUAN ACARA PERKULIAHAN

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

Semikonduktor. Prinsip Dasar. oleh aswan hamonangan

ROBOT LINE FOLLOWER ANALOG

BAB II LANDASAN TEORI

SOAL UJIAN PENDIDIKAN KEWIRAUSAHAAN DAN PRAKARYA REKAYASA TEKNOLOGI (ELEKTRONIKA)

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O

Modul 3. Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : Derina Adriani ( )

BAB II Transistor Bipolar

TRANSISTOR BIPOLAR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng. 1. IDE DASAR TRANSISTOR Gambaran ide dasar sebuah transistor dapat dilihat pada Gambar 1.

Program Studi Teknik Mesin S1

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

Transistor Dwi Kutub. Laila Katriani.

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

controlled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas

Praktikum Rangkaian Elektronika MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA

PRAKATA. Diktat ini masih jauh dari sempurna, oleh karena itu saran serta kritik yang membangun akan penulis terima dengan sengan hati.

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

III. METODE PENELITIAN. Pelaksanaan tugas akhir ini dilakukan di Laboratorium Terpadu Jurusan Teknik Elektro

THYRISTOR. SCR, TRIAC dan DIAC. by aswan hamonangan

Rangkaian Penguat Transistor

BAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda.

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN

DASAR PENGUKURAN LISTRIK

PENGUAT MENGGUNAKAN TRANSISTOR

Pengertian Transistor fungsi, jenis, dan karakteristik

BAB II LANDASAN TEORI

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

B a b. Bipolar Junction Transistor

PENGERTIAN THYRISTOR

1. PRINSIP KERJA CATU DAYA LINEAR

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

PERTEMUAN 12 ALAT UKUR MULTIMETER

PETUNJUK PELAKSANAAN PRAKTIKUM PRAKTIKUM TEKNIK TELEKOMUNIKASI 2 ET 2200

THYRISTOR & SILICON CONTROL RECTIFIER (SCR)

FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA

Materi 6: Transistor Fundamental

Modul Elektronika 2017

Dalam pengukuran dan perhitungannya logika 1 bernilai 4,59 volt. dan logika 0 bernilai 0 volt. Masing-masing logika telah berada pada output

PETUNJUK PELAKSANAAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA KOMUNIKASI PRAKTIKUM TEKNIK TELEKOMUNIKASI 2 ET 2200 PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

Tahap Ouput dan Penguat Daya

Semikonduktor. PDF created with pdffactory Pro trial version

TUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :

PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY )

PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR

Pendahuluan. 1. Timer (IC NE 555)

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

BAB III LANGKAH PERCOBAAN

Komponen Komponen elektronika DIODA Dioda Silikon Dan Germanium Dioda adalah komponen semiconductor yang paling sederhana, ia terdiri atas dua

MENGUKUR TRANSISTOR. melalui pengukuran tahanannya. 3) Mampu menentukan kaki Basis, Kolektor, dan Emiter dari sebuah transistor.

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN UNIVERSITAS SRIWIJAYA

GERBANG LOGIKA DIGITAL

Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite)

BAB I HAMBATAN. Tujuan: 1. Menjelaskan komponen resistor 2. Menjelaskan komponen kapasitor 3. Menjelaskan komponen induktor

NAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : INSTRUMENTASI DAN OTOMASI. Struktur Thyristor THYRISTOR

DIODE TRANSISTOR LOGIC (DTL)

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS ISLAM KADIRI KEDIRI

MODUL I TEGANGAN KERJA DAN LOGIKA

Transkripsi:

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis (B), kolektor (C) dan emitor (E). Berdasarkan susunan semikonduktor yang membentuknya, transistor dibedakan menjadi dua tipe, yaitu transistor PNP dan transistor NPN. Untuk membedakan transistor PNP dan NPN dapat dari arah panah pada kaki emitornya. Pada transistor PNP anak panah mengarah ke dalam dan pada transistor NPN arah panahnya mengarah ke luar. Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektoremiter. Bagian penting berikutnya adalah bagaimana caranya memberi arus bias yang tepat sehingga transistor dapat bekerja optimal. Ada 3 cara adalah sebagai berikut : - rangkaian CE (Common Emitter) - rangkaian CC (Common Collector) - rangkaian CB (Common Base) Pada workshop ini, akan di bahas tentang : 1. Bias transistor rangkaian CE (Common-Emiter) dan aplikasi penggunaannya 2. Cara menentukan kaki-kaki transistor menggunakan multimeter I.1. Transistor Rangkaian CE Arus Emiter Dari hukum Kirchhoff diketahui bahwa jumlah arus yang masuk kesatu titik akan sama jumlahnya dengan arus yang keluar. Jika teorema tersebut diaplikasikan pada transistor, maka hukum itu menjelaskan hubungan : I E = I C + I B....(1) arus emitor

Persamanaan (1) tersebut mengatakan arus emiter I E adalah jumlah dari arus kolektor I C dengan arus base I B. Karena arus I B sangat kecil sekali atau disebutkan I B << I C, maka dapat di nyatakan : I E = I C...(2) Alpha ( Pada tabel data transistor ( databook) sering dijumpai spesikikasi dc (alpha dc) yang tidak lain adalah : dc = I C /I E....(3) Defenisinya adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor. Karena besar arus kolektor umumnya hampir sama dengan besar arus emiter maka idealnya besar dc adalah = 1 (satu). Beta ( Beta didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus base. = I C /I B....... (4) Dengan kata lain, adalah parameter yang menunjukkan kemampuan penguatan arus (current gain) dari suatu transistor. Parameter ini ada tertera di databook transistor dan sangat membantu para perancang rangkaian elektronika dalam merencanakan rangkaiannya. Misalnya : 1. Jika suatu transistor diketahui besar =250 dan diinginkan arus kolektor sebesar 10 ma, maka berapakah arus bias base yang diperlukan. Tentu jawabannya sangat mudah yaitu : I B = I C / = 10mA/250 = 40 ua 2. Arus yang terjadi pada kolektor transistor yang memiliki = 200 jika diberi arus bias base sebesar 0.1mA adalah : I C = I B = 200 x 0.1mA = 20 ma Dari rumusan ini lebih terlihat defenisi penguatan arus transistor, yaitu sekali lagi, arus base yang kecil menjadi arus kolektor yang lebih besar.

Common Emitter (CE) Rangkaian CE adalah rangkaian dimana titik ground atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik emiter. rangkaian CE Sekilas Tentang Notasi Ada beberapa notasi yang sering digunakan untuk mununjukkan besar tegangan pada suatu titik maupun antar titik. Notasi dengan 1 subscript adalah untuk menunjukkan besar tegangan pada satu titik, misalnya V C = tegangan kolektor, V B = tegangan base dan V E = tegangan emiter. Ada juga notasi dengan 2 subscript yang dipakai untuk menunjukkan besar tegangan antar 2 titik, yang disebut juga dengan tegangan jepit. Diantaranya adalah : V CE = tegangan jepit kolektor- emitor V BE = tegangan jepit base emitor V CB = tegangan jepit kolektor base Notasi seperti V BB, V CC, V EE berturut-turut adalah besar sumber tegangan yang masuk ke titik base, kolektor dan emitor. Kurva Base Hubungan antara IB dan VBE tentu saja akan berupa kurva dioda. Karena memang telah diketahui bahwa junction base-emitor tidak lain adalah sebuah dioda. Jika hukum Ohm diterapkan pada loop base diketahui adalah : I B = (V BB - V BE ) / R B... (5) V BE adalah tegangan jepit dioda junction base-emitor. Arus hanya akan mengalir jika tegangan antara base-emitor lebih besar dari V BE. Sehingga arus I B mulai aktif mengalir pada saat nilai V BE tertentu.

kurva I B -V BE Besar V BE umumnya tercantum di dalam databook. Misal : Diketahui besar = 200. Katakanlah yang digunakan adalah transistor yang dibuat dari bahan silikon. rangkaian-01 I B = (V BB - V BE ) / R B = (2V - 0.7V) / 100 K = 13 ua Dengan = 200, maka arus kolektor adalah : I C = I B = 200 x 13uA = 2.6 ma Kurva Kolektor Sekarang sudah diketahui konsep arus base dan arus kolektor. Satu hal lain yang menarik adalah bagaimana hubungan antara arus base I B, arus kolektor I C dan tegangan kolektor-emiter V CE. Dengan mengunakan rangkaian-01, tegangan V BB dan V CC dapat diatur untuk memperoleh plot garis-garis kurva kolektor. Pada gambar berikut telah diplot beberapa kurva kolektor arus I C terhadap V CE dimana arus I B dibuat konstan.

kurva kolektor Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah breakdown. Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus I C konstans terhadap berapapun nilai V CE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus I C hanya tergantung dari besar arus I B. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region). Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan : V CE = V CC - I C R C... (6) Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : P D = V CE.I C... (7) Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya. Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi P D max. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya P D max, maka transistor dapat rusak atau terbakar.

Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari V CE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan V CE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron. Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan V CC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON. rangkaian driver LED Misalkan : Rangkaian driver LED di atas, transistor yang digunakan adalah transistor dengan = 50. Penyalaan LED diatur oleh sebuah gerbang logika (logic gate) dengan arus output high = 400 ua dan diketahui tegangan forward LED, V LED = 2.4 volt. Lalu pertanyaannya adalah, berapakah seharusnya resistansi R L yang dipakai. I C = I B = 50 x 400 ua = 20 ma Arus sebesar ini cukup untuk menyalakan LED pada saat transistor cut-off. Tegangan VCE pada saat cut-off idealnya = 0, dan aproksimasi ini sudah cukup untuk rangkaian ini. R L = (V CC - V LED - V CE ) / I C = (5-2.4-0)V / 20 ma = 2.6V / 20 ma = 130 Ohm

Daerah Breakdown Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan V CE lebih dari 40V, arus I C menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan V CE max yang diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi. V CE max pada databook transistor selalu dicantumkan juga. Datasheet transistor Sebelumnya telah disinggung beberapa spesifikasi transistor, seperti tegangan V CE max dan P D max. Sering juga dicantumkan di datasheet keterangan lain tentang arus I C max V CB max dan V EB max. Ada juga P D max pada T A = 25 o dan P D max pada T C = 25 o. Misalnya pada transistor 2N3904 dicantumkan data-data seperti : V CB max = 60V V CEO max = 40V V EB max = 6 V I C max = 200 madc P D max = 625 mw T A = 25 o P D max = 1.5W T C = 25 o T A adalah temperature ambient yaitu suhu kamar. Sedangkan T C adalah temperature cashing transistor. Dengan demikian jika transistor dilengkapi dengan heatshink, maka transistor tersebut dapat bekerja dengan kemampuan dissipasi daya yang lebih besar. atau h FE Pada system analisa rangkaian dikenal juga parameter h, dengan meyebutkan h FE sebagai dc untuk mengatakan penguatan arus. dc = h FE... (8) Sama seperti pencantuman nilai dc, di datasheet umumnya dicantumkan nilai h FE minimum (h FE min ) dan nilai maksimunya (h FE max).

II.2. Aplikasi Transistor II.2.1. Transistor sebagai Saklar Dengan mengatur bias sebuah transistor sampai transistor jenuh, maka seolah akan didapat hubung singkat antara kaki kolektor dan emitor. Dengan memanfaatkan fenomena ini, maka transistor dapat difungsikan sebagai saklar elektronik. Pada gambar terlihat sebuah rangkaian saklar elektronik dengan menggunakan transistor NPN dan transistor PNP. Tampak TR3 (NPN) dan TR4 (PNP) dipakai menghidupkan dan mematikan LED. II.2.2. Transistor sebagai penguat arus Fungsi lain dari transistor adalah sebagai penguat arus. Karena fungsi ini maka transistor bisa dipakai untuk rangkaian power supply dengan tegangan yang di set. Untuk keperluan ini transistor harus dibias tegangan yang konstan pada basisnya, supaya pada emitor keluar tegangan yang tetap. Biasanya untuk mengatur tegangan basis supaya tetap digunakan sebuah dioda zener.

II.2.3. Transistor sebagai penguat sinyal AC Selain sebagai penguat arus, transistor juga bisa digunakan sebagai penguat tegangan pada sinyal AC. Untuk pemakaian transistor sebagai penguat sinyal digunakan beberapa macam teknik pembiasan basis transistor. Dalam bekerja sebagai penguat sinyal AC, transistor dikelompokkan menjadi beberapa jenis penguat, yaitu: penguat kelas A, penguat kelas B, penguat kelas AB, dan kelas C. II. Cara Menentukan Kaki Transistor dengan Multimeter Kadang-kadang dipasaran sudah diberikan nama untuk setiap kakinya, sehingga memeprmudah pemasangan di rangkaian elektronik yang kita buat. Tetapi ada juga yang belum di berikan tanda apapun, untuk itu kita bisa membaca dari datashet transistor tersebut. Atau kalau kita tidak mempunyai datashett yang di maksud dapat kita cari nama kaki-kaki sebuah transistor dengan langkah-langkah adalah : Mencari Kaki Basis 1. Siapkan multimeter dan atur pada pengukuran ohmmeter X100 2. Lakukan pengukuran seperti gambar di bawah ini.

3. Perhatikan penunjukkan pergerakan jarum. Apabila jarum bergerak ke kanan dengan posisi probe yang satu tetap pada kaki 3 dan probe lainnya pada kaki 1 atau kaki 2 berarti kaki 3 adalah base transistor. Jika probe positif yang berada pada kaki 3 berarti transistor tersebut berjenis NPN, sebaliknya jika probe negatif berada pada kaki 3 berarti transistor tersebut berjenis PNP Mencari Kaki Kolektor dan Emitor 1. Misal transistor yang kita gunakan berjenis NPN 2. Lakukan pengukuran seperti gambar dibawah. 3. Perhatikan penunjukkan jarum, apabila jarum bergerak ke kanan maka kaki 1 (pada probe positif) adalah emitter dan kaki 2 (pada posisi probe negatif) adalah kolektor. Atau Jika dipasang kebalikkannya (probe positif pada kaki 2 dan probe negatif pada kaki 1) dan jarum tidak bergerak, maka kaki 1 adalah emitter dan kaki 2 adalah kolektor.