Praktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor. Rudi Susanto

dokumen-dokumen yang mirip
Karakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

Bagian 4 Pemodelan Dioda

Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber

PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA)

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

Dioda-dioda jenis lain

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

DIODA. Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto

Modul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

Materi 3: Teori Dioda

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS ISLAM KADIRI KEDIRI

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom

Semikonduktor. PDF created with pdffactory Pro trial version

ELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor

Bias dalam Transistor BJT

BAB II LANDASAN TEORI

struktur dua dimensi kristal Silikon

controlled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas

Semikonduktor. Prinsip Dasar. oleh aswan hamonangan

BAB 8 ALAT UKUR DAN PENGUKURAN LISTRIK

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

BAB II LANDASAN TEORI

ELK-DAS JAM DASAR SEMIKONDUKTOR. Penyusun : TIM FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

THYRISTOR. SCR, TRIAC dan DIAC. by aswan hamonangan

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom

Daerah Operasi Transistor

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

STRUKTUR CRISTAL SILIKON

semiconductor devices

BAB II LANDASAN TEORI

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Pengertian Transistor fungsi, jenis, dan karakteristik

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo


Modul 05: Transistor

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

VERONICA ERNITA K. ST., MT. Pertemuan ke - 5

Elektronika Daya ALMTDRS 2014

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage

BAB 2 PN Junction dan Dioda. Oleh : Unang Sunarya, ST.,MT

TEORI DASAR. 2.1 Pengertian

PENGERTIAN SEMIKONDUKTOR

NAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : INSTRUMENTASI DAN OTOMASI. Struktur Thyristor THYRISTOR

Transistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET)

BAB III KOMPONEN ELEKTRONIKA

THYRISTOR & SILICON CONTROL RECTIFIER (SCR)

Prinsip Semikonduktor

ROBOT LINE FOLLOWER ANALOG

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

Praktikum Rangkaian Elektronika MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA

TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR

I D. Gambar 1. Karakteristik Dioda

Pertemuan Ke-2 DIODA. ALFITH, S.Pd, M.Pd

Karakteristik Dioda Sambungan p-n

Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor

Konsep Dasar Rangkaian. Rudi susanto

BAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda.

Pertemuan 10 A. Tujuan 1. Standard Kompetensi: Mempersiapkan Pekerjaan Merangkai Komponen

Semikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator

BAB I TEORI RANGKAIAN LISTRIK DASAR

Bab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337

Teori Semikonduktor. Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana. maulana.lecture.ub.ac.id

Elektronika (TKE 4012)

MODUL 03 RANGKAIAN DIODA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

BAB II KOMPONEN MULTIVIBRATOR MONOSTABIL. Didalam membuat suatu perangkat elektronik dibutuhkan beberapa jenis

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )?

PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY )

LAPORAN PRAKTIKUM III DAN IV KARAKTERISTIK DIODA DAN TRANSFORMATOR

Olimpiade Sains Nasional 2009 Eksperimen Fisika Hal 1 dari 18. Olimpiade Sains Nasional Eksperimen Fisika Agustus 2009 Waktu 4 Jam

LAPORAN KERJA ELEKTRONIKA DASAR SEMICONDUCTOR I

PENGERTIAN THYRISTOR

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

TUGAS DAN EVALUASI. 2. Tuliska macam macam thyristor dan jelaskan dengan gambar cara kerjanya!

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

Modul 3. Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : Derina Adriani ( )

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN

BAB II Transistor Bipolar

Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda

Gambar 3.1 Struktur Dioda

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

BAB II LANDASAN TEORI

TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR

Transkripsi:

Praktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor Rudi Susanto 1

Praktikum Electronics Workbench (EWB) Electronics Workbench (EWB) adalah sebuah software yang menyediakan berbagai komponen dan instrumen untuk membuat rangkaian listrik pada PC. Hal ini memungkinkan untuk merancang dan menganalisis rangkaian tanpa menggunakan breadboards, komponen nyata atau instrumen yang sebenarnya. 2

Interface 3

Percobaan 1 Membuat rangkaian sederhana dengan menggunakan komponen Resistor 4

Percobaan 2 Membuat rangkaian Resistor secara Seri (seperti gambar dibawah) dan Pararel Membandingkan hasil pengukuran pada software EWB dengan perhitungan secara manual 5

Praktikum Analisis Rangkaian 6

Praktikum 1 Tentukan nilai arus i pada rangkaian dibawah ini pada dengan software EWB!

Praktikum 2 Tentukan nilai arus i pada rangkaian dibawah ini pada dengan software EWB!

Bahan Semikonduktor Rudi Susanto 9

Teori Atom Proton (Q+) Atom Inti Atom Neutron (Q=nol) mengitari atom Elektron (Q ) Q e =Q p =1,6.10 19 C 10

Model atom menurut BOHR Elektron mengelilingi inti atom pada orbitnya masing masing Kulit terluar Atom disebut : kulit valensi, dapat berisi hingga 8 elektron (8e) Konduktivitas atom tergantung pada jumlah electron pada kulit valensi: a. Jika atom punya 1 elektron valensi (1 ev) mendekati konduktor sempurna b. Jika atom punya 8 elektron valensi (8 ev).kulit valensi lengkap dan atomnya isolator Jadi konduktivitas turun dengan bertambahnya ev ( elektron valensi ). 11

Tiga Jenis Bahan Konduktor Isolator Semikonduktor : 1. Germanium 2. Silikon 12

Struktur Atom Germanium Inti atom dengan 32 proton Orbit pertama : 2 elektron Orbit kedua : 8 elektron Orbit ketiga : 18 elektron Orbit terluar : 4 elektron +32 Elektron bebas Elektron valensi Valensi 4 Semikonduktor 13 13

Struktur Atom Silikon Inti atom dengan 14 proton Orbit pertama : 2 elektron Orbit kedua : 8 elektron Orbit terluar : 4 elektron +14 Elektron Valensi Elektron bebas Valensi 4 Semikonduktor 14 14

Semikonduktor : suatu atom yang berisi 4 elektron valensi (4 ev). Jumlah elektron valensi di dalam semikonduktor antara konduktor dan isolator, maka atom semikonduktor bukan konduktor yang baik dan bukan isolator yang baik. Bahan bahan semikonduktor : Carbon (C) dengan 6 proton (2 4), Silikon (Si) dengan 14 proton (284), dan Germanium (Ge) dengan 32 proton (28184) Silikon (Si) dan germanium (Ge) untuk membuat komponen zat padat Carbon (C) untuk membuat resistor dan potensiometer 6 p (24) 14 p (284) K L K L M 15

Material Semikonduktor Bahan yang digunakan dalam pembuatan divais semikonduktor. Silikon (Si) Germanium (Ge) 16

Enegy level 17

Doping Karakteristik dari Silikon dan Germanium diperbaiki dengan menambahkan material lainnya melalui proses yang dinamakan doping. Terdapat dua tipe material tambahan, yaitu: ntype ptype 18

Efek Doping 19

Perbandingan ntype dan ptype Material ntype membuat atom Silikon (atau Germanium) menjadi lebih bermuatan negatif. Sebaliknya, material ptype membuatnya lebih bermuatan positif. Menggabungkan ntype dan ptype akan menghasilkan pn junction. 20

pn Junction Dioda tanpa Bias (The Unbiased dioda) Sisi p mempunyai banyak hole dan sisi n banyak elektron pita konduksi. Tidak ada tegangan luar disebut dioda tanpa bias. 21

Devais Semikonduktor 1. Dioda 2. Transistor 3. Integrated Circuit 22

Dioda 23

Pengantar tentang Dioda Resistor merupakan sebuah piranti linier karena arus berbanding terhadap tegangan. Dalam bentuk grafik, grafik arus terhadap tegangan merupakan garis lurus. Dioda merupakan piranti nonlinier karena grafik arus terhadap tegangan bukan berupa garis lurus. Saat tegangan dioda lebih kecil dari tegangan penghalang (potential barier) maka arus di dalam dioda kecil. Tetapi ketika tegangan dioda melebihi tegangan penghalang maka arus dioda akan naik dengan cepat. 24

Dioda Devais semikonduktor yang paling sederhana Dioda adalah devais semikonduktor yang memiliki dua termina 25

Operasi Dasar Dioda Dioda menghantarkan arus searah dengan arah yang sama dengan simbol Namun jika arahnya berlawanan, maka dioda akan berperilaku seperti open circuit 26

Karakteristik dioda ideal Area konduksi Lihat garis vertikal! Pada area konduksi, idealnya: Tegangan pada dioda adalah 0 V. Arus yang melalui dioda adalah disesuaikan dengan rangkaian. Tahanan maju (R F ) didefinisikan sebagai RF = V F /I F. Dioda berperilaku seperti short circuit. 27

Karakteristik dioda ideal Area nonkonduksi Lihat garis horizontal! Pada area nonkonduksi, idealnya: Semua tegangan dapat melalui dioda. Arus yang melalui dioda adalah 0A. Tahanan mundur (R R ) didefinisikan sebagai R R = V R /I R. Dioda berperilaku seperti open circuit. 28

Karakteristik dioda 29

Jenis Dioda 30

Model Dioda Model adalah representasi dari suatu komponen atau rangkaian yang memiliki satu atau lebih Sifat atau karakteristik. Tiga model dioda : 1. Model Dioda Ideal 2. Model dioda Praktek 3. Model dioda Lengkap 31

1. MODEL dioda IDEAL Model dioda ideal menggambarkan dioda sebagai saklar sederhana yang dapat tertutup ( Conducting ) ketika dibias forward maupun terbuka ( nonconducting ) ketika dibias reverse. Model ini hanya digunakan untuk menentukan tahap awal troubleshooting (proses mencari kesalahan dalam perangkat elektronik). OPEN CLOSED Kondisi Karakteristik *Infinite Resistansi Sehingga Arus nol *Tegangan penuh pada kaki dioda *Resistansi nol Shg Arus Max *Tegangan nol pada kaki dioda 32

CONT. Berdasarkan karakteristik sebuah saklar, maka dapat diperoleh : 1. Ketika dibias reverse ( Open Switch ) dioda memilki resistansi tak terbatas ( maksimum ) dioda tidak dialiri arus Sumber Tegangan akan jatuh semua pada terminal dioda 2.Ketika dibias forward ( Closed Switch ) dioda memilki resistansi nol ( minimum ) dioda dialiri arus Tidak ada Sumber Tegangan jatuh pada terminal dioda 33

2. MODEL DIODA PRAKTEK Dalam model dioda ideal banyak karakteristrikkarakteristik dioda yang diabaikan. Contohnya : Tegangan maju. Tegangan maju biasanya diperhatikan dalam analisis matematika dari rangkaian dioda. Pada aplikasi rangkaian yang digunakan diasumsikan dioda yang dipergunakan dioda silikon kalau ingin mengganti dengan dioda germaniun maka tegangan maju tinggal diubah dari 0.7V menjadi 0.3V 34

3. MODEL dioda LENGKAP Merupakan model yang paling akurat. Menggambarkan karakteristikkarakteristik operasional dioda. 2 faktor yang menyebabkan model ini menjadi semakin akurat adalah Resistansi Bulk. 35

Kurva Karakteristik Untuk masingmasing Model dioda I F I F I F R B= ΔV / ΔI V R V F V R V K =0.7V V F V R V K =0.7V V F I R I R I R Model dioda IDEAL Model dioda PRAKTEK Model dioda LENGKAP 36

Membaca Datasheet 37

38

39

40

41

Membaca Datasheet Dioda 1N4001 Seperti terlihat dalam Gambar, beberapa informasi berguna tentang dioda: Tegangan patah sebesar: 50V (Maximum repetitive peak reverse voltage). Ratarata arus bias maju: 1A (Average rectified forward current). Tegangan maksimum pada kondisi bias maju 1A adalah 1,1V (Maximum instateneous forward voltage). Arus bias mundur maksimum: 5 A 50 A (Maximum DC reverse currnet) 42

Menentukan Garis Beban Garis beban adalah sebuah perangkat yang dapat digunakan untuk menghitung nilai arus dan tegangan dioda dengan tepat. Perhatikan rangkaian berikut, dan kita akan menggambar garis beban dari rangkaian tersebut: Rs Vs 2 V 100 Ohm D1 43

Persamaan Garis Beban 44

Persamaan Garis Beban 45

Persamaan Garis Beban 46

Persamaan Garis Beban I D 30 ma 20 ma Saturation Diode Curve 12,5 ma 10 ma Q (operating point) Cutoff 0,75v 1V 2V V D 47

Titik Q Saat garis beban digabungkan dengan kurva diode, terdapat titik potong antara garis beban dan kurva dioda, yang dikenal sebagai titik Q. Q adalah singkatan dari quiescent yang berarti istirahat. Titik Q memerupakan penyelesaian simultan antara kurva dioda dan garis beban. Titik ini merupakan satusatunya titik pada grafik yang berlaku untuk dioda dan rangkaian. Dengan membaca koordinat titik Q, didapatkan titik operasi (operating point) pada arus sebesar 12,5 ma dan pada tegangan dioda 0,75 V. 48

Percobaan 1 Electronics Workbench (EWB) 1. Membuktikan Grafik VI pada dioda silikon. Langkahlangkah percobaan a. Buat rangkaian seperti pada gambar dibawah ini b. Atur tegangan pada catu daya (Vs) pada nilai 0.01 V c. Catat tegangan (Vd) dan arus (Id) pada dioda d. Naikan Vs sampai dengan mencapai nilai 10 V dengan range 0,5 e. Buat grafik hubungan antara tegangan (Vd) dengan arus (Id) 49

Percobaan 2 Electronics Workbench (EWB) Dengan menggunakan langkah percobaan yang sama, lakukan pengukuran pada gambar di atas. 50

Percobaan 3 Electronics Workbench (EWB) Komponen yang digunakan dalam rangkaian penyearah yaitu Trafo atau Function Generator sebagai V in, Multimeter, Kapasitor, Resistor dan Osiloskop. Rangkailah gambar 1 pada EWB dengan V in adalah sumber tegangan bolakbalik (AC) dan V out disambung dengan osiloskop. Setelah merangkai gambar 1, kemudian lihat bentuk tegangan V in dengan menggunakan osiloskop. Lihat bentuk tegangan pada V out dengan menggunakan osiloskop dan bandingkan dengan tegangan V in. 51

Percobaan 4 Electronics Workbench (EWB) Langkahlangkah sama pada gambar 1. 52

Tugas! Buatlah laporan terkait Percobaan 1 dan 2, Yang berisi : data hasil percobaan, grafik hasil percobaan, analisis hasil percobaan Lakukan percobaan 3 dan 4 dan analis hasil percobaan 3 dan 4 53

Transistor 54

Jenis Transistor 1. Transistor npn : terdiri dari sebuah semikonduktor tipep (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe n. E n p n C E C B 2. Transistor pnp : terdiri dari sebuah semikonduktor tipen (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe p. B E p n p C E C B 55

Arus pada Transistor Alpha dc (α dc ) adalah perbandingan antara arus Ic (kolektor) dengan arus emittor (I e ). Beta dc (β dc ) adalah perbandingan antara arus Ic dengan arus basis (I b ).

Alpha DC (α dc ) : Bila transistor ideal, maka Ic = Ie atau α dc = 1 Beta DC (β dc ) : + V RB + V BE + V RC + V CE

Kurva Garis Beban Transistor Garis yang menghubungkan sumbu Ic (Vcc/Rc) dengan sumbu VCE (Vcc)

Titik Sumbat (cut off) dan Saturasi Titik dimana garis beban memotong kurva IB = 0 (nol) sehingga VCE (cut off) = VCC. Titik perpotongan garis beban dengan kurva IB = IB(sat). Pada titik ini arus basis =IB(sat) dan arus kolektor adalah maksimum.

Daerah Aktif Transistor Adalah semua titik operasi antara titik cut off dan saturasi. Perpotongan dari arus basis dan garis beban adalah titik stasioner (Quiscent). Q

Daerah Operasi Transistor Sebuah Transistor memiliki empat daerah Operasi Transistor : 1. Daerah Aktif 2. Daerah CutOff 3. Daerah Saturasi 4. Daerah Breakdown

Contoh : Transistor 2N4401 (Si), βdc = 80. Gambarkan garis beban dan titik kerja (Q) dari rangkaian dibawah ini : Jadi koordinat titik Q adalah IC=6mA dan VCE=21V

Gambar Grafik 20 IC (ma) 6 Q 21 30 VCE Dengan mengubah nilai RB, maka titik Q akan bergeser ke titik lain pada garis beban.

Aplikasi NPN Mechanical Switch Circuit Transistor Switch Circuit 12 Volt Battery Switch open12 Volt Light off = 0Battery Light NPN Transistor Switch close Light on = 1 Input = 0 Light off Computer can send a signal to turn on the transistor which then turns on the light Input = 1 Light on 64

Praktikum 1 Isi tabel berikut : 65

Praktikum 2 Rangkaian transistor sebagai saklar 66

67

Integrated Circuit (IC)

Symbol dan komponen

Integrated Circuit (IC) An integrated circuit (IC) consists of multiple transistors. The number of transistors can vary from just a few (circuits shown below), to several million that are in a (Pentium microprocessor). 6 Transistors in one IC This IC has 6 inverters An inverter contains 6 Transistors = 36 total 70

Functions Inverters Gates Flip flops Counters Memory MPU Watch IC s Calculators IC s Microwave Timer IC s Radio IC s Dialer IC s Car Controller IC s 71

Rangkaian IC 72

Terima Kasih 73