EFEK FOTOVOLTAIK DA PIROELEKTRIK Ba 0,25 Sr 0,7 75TiO 3 (BST) YA G DIDADAH IOBIUM (B ST) ME GGU AKA CHEMICAL SOLUTIO DEPOSITIO. Agung Seno Hertanto

Transkripsi

1 EFEK FOTOVOLTAIK DA PIROELEKTRIK Ba,25 Sr,7 75TiO 3 (BST) YA G DIDADAH IOBIUM (B ST) ME GGU AKA METODE CHEMICAL SOLUTIO DEPOSITIO Agung Seno Hertanto DEPARTEME FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DA ILMU PE GETAHUA ALAM I STITUT PERTA IA BOGOR 28

2 Agung Seno Hertanto. EFEK FOTOVOLTAIK DA PIROELEKTRIK Ba,25 Sr,75 TiO 3 (BST) YA G DIDADAH IOBIUM (B ST) ME GGU AKA METODE CHEMICHAL SOLUTIO DEPOSITIO. Dibimbing oleh Dr. Irzaman dan Dr. Akhiruddin Maddu. Abstrak Telah dilakukan penumbuhan film tipis Ba,5 Sr,5 TiO 3 (BST) dengan pendadah Niobium (Nb 2 O 5 ) di atas substrat Si (1) tipe-p. Metode yang digunakan adalah metode chemical solution deposition (CSD) dengan teknik spin coating pada kecepatan putar 3 rpm dalam waktu 3 detik. Pelapisan dilakukan hanya satu lapisan untuk setiap substrat. Dibuat film tipis BNST dengan konsentrasi,5 M dan annealing pada suhu 85 C, 9 C dan 95 C. Hasil penelitian menunjukkan bahwa, efek fotovoltaik film tipis BST dan BNST mengalami kenaikan ketika suhu annealing bertambah. Pada uji piroelektrik, nilai koefisien piroelektrik menurun ketika suhu annealing dinaikkan dan lebih rendah lagi ketika diberikan pendadah niobium. Pada penentuan konstanta dielektrik menunjukkan adanya penurunan ketika suhu annealing dinaikkan, begitu pula dengan penambahan pendadah niobium yang membuat nilai konstanta dielektrik semakin menurun. Hasil SEM dengan perbesaran 2. kali dari film tipis BNST menunjukkan adanya kehomogenan pada morfologi permukaannya. Selain morfologi, juga didapat nilai ketebalan film tipis BNST yaitu sebesar,432 µm. Hasil EDS menunjukkan bahwa komposisi penyusun pada BNST tidak sepenuhnya sesuai dengan stokiometri yang dipakai pada saat pembuatannya. Kata Kunci : BST, CSD, niobium, annealing, SEM, EDS

3 EFEK FOTOVOLTAIK DA PIROELEKTRIK Ba,25 Sr,75 TiO 3 (BST) YA G DIDADAH IOBIUM (B ST) ME GGU AKA METODE CHEMICAL SOLUTIO DEPOSITIO Skripsi Sebagai Salah Satu Syarat untuk memperoleh gelar Sarjana Sains Pada Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Pertanian Bogor Oleh: Agung Seno Hertanto G DEPARTEME FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DA ILMU PE GETAHUA ALAM I STITUT PERTA IA BOGOR 28

4 Judul Nama NRP : Efek Fotovoltaik dan Piroelektrik Ba,25 Sr,75 TiO 3 (BST) yang didadah Niobium (BNST) Menggunakan Metode Chemical Solution Deposition : Agung Seno Hertanto : G Menyetujui Pembimbing 1 Pembimbing 2 Dr. Irzaman NIP Dr. Akhiruddin Maddu NIP Mengetahui : Dekan Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Pertanian Bogor Dr. Drh. Hasim, DEA NIP Tanggal Lulus :

5 PRAKATA Segala puji dan syukur kehadirat Allah SWT yang telah memberikan rahmat dan karunia- Nya kepada penulis sehingga dapat menyelesaikan pembuatan skripsi dengan judul Efek Fotovoltaik dan Piroelektrik Ba,25 Sr,75 TiO 3 (BST) yang didadah iobium (B ST) Menggunakan Metode Chemical Solution Deposition disusun untuk memenuhi salah satu syarat dalam menyelesaikan Jenjang Strata Satu (S-1) pada Program Studi Fisika. Dalam proses pembuatan skripsi ini terdapat banyak pihak yang membantu, baik secara langsung maupun tidak langsung. Untuk itu pada kesempatan ini penulis menyampaikan ucapan terima kasih yang sebesar-besarnya, kepada : 1. Orang tuaku tercinta yang telah memberikan dukungan, baik moril maupun materil. 2. Dr. Irzaman selaku pembimbing I yang telah memberikan ide, nasehat dan motivasi sehingga penelitian ini dapat terlaksana. 3. Dr. Akhiruddin Maddu selaku pembimbing II yang senantiasa memberi pengarahan terbaik. 4. Ibu Mersi Kurniati, M.Si dan Bapak Faozan, M.Si selaku ketua sidang dan dosen penguji. 5. Seluruh dosen Departemen Fisika IPB yang telah memberikan ilmu yang bermanfaat. 6. Keluarga besar Fisika 41, klien-klien yang setia dan teman-teman seperjuangan. Penulis menyadari bahwa dalam pembuatan skripsi ini masih banyak terdapat kekurangan dan kelemahannya, oleh karena itu penulis mengharapkan kritik dan saran untuk penyempurnaan dimasa yang akan datang. Akhirnya penulis berharap semoga apa yang tertulis dalam skripsi ini dapat menjadi suatu sumbangsih pikiran dan juga menambah wawasan bagi penulis khususnya dan bagi pembaca pada umumnya. Bogor, September 28 Penulis

6 RIWAYAT HIDUP Penulis dilahirkan di Jakarta pada tanggal 9 Desember 1983 dari pasangan Bapak Wasino dan Ibu Sumarti. Penulis merupakan putra pertama dari empat bersaudara. Penulis menempuh pendidikan di TK Perintis Jakarta ( ), SDN 17 Pagi Jakarta ( ), SLTPN 117 Jakarta ( ), SMKN 26 Jakarta ( ), Sekolah Tinggi Ilmu Komputer Cipta Karya Informatika (22-27) dan tahun 24 penulis masuk ke Departemen Fisika Institut Pertanian Bogor melalui jalur SPMB. Selama mengikuti perkuliahan, penulis pernah aktif sebagai Ketua Departemen Syiar SERUM-G, Ketua Departemen Sains SERUM-G, Staf Ahli Departemen Infokom BEM FMIPA IPB, Ketua ROHIS Kelas, Ketua Departemen Instrumentasi dan Teknologi HIMAFI, Ketua HIMAFI (Himpunan Mahasiswa Fisika IPB) periode Selain itu, penulis pernah menjadi asisten praktikum Eksperimen Fisika I dan Eksperimen Fisika II, Penulis juga aktif mengajar mata pelajaran Komputer di SDIT UMMUL QURO BOGOR.

7 DAFTAR ISI Halaman LEMBAR PENGESAHAN... i PRAKATA... ii RIWAYAT HIDUP... iii DAFTAR ISI... iv DAFTAR TABEL... v DAFTAR GAMBAR... vi DAFTAR LAMPIRAN... vii PENDAHULUAN... 1 Latar Belakang... 1 Tujuan Penelitian... 1 TINJAUAN PUSTAKA... 1 Barium Stronsium Titanat (Ba.5 Sr.5 TiO 3 )... 1 Silikon... 1 Bahan Pendadah... 2 Niobium Pentaoksida (Nb 2 O 5 )... 2 Metode Chemical Solution Deposition (CSD)... 2 Efek Fotovoltaik... 3 Konstanta Dielektrik... 3 SEM (Scanning Electron Microscope) dan EDS (Electron Dispersion Spectroscopy). 4 BAHAN DAN METODE... 4 Tempat dan Waktu Penelitian... 4 Alat dan Bahan... 4 Metode Penelitian... 4 Persiapan Substrat Si (1) Tipe-p... 4 Pembuatan Larutan BST dan BNST... 4 Proses Pendeposisian BST dan BNST... 4 Proses Annealing... 5 Pembuatan Sel Fotovoltaik... 5 Karakterisasi... 5 Karakterisasi Fotovoltaik... 5 Karakterisasi Konstanta Dielektrik... 6 Karakterisasi Piroelektrik... 6 HASIL DAN PEMBAHASAN... 7 Hasil Karakterisasi SEM dan EDS... 7 SEM... 7 EDS... 7 Hasil Karakterisasi Efek Fotovoltaik... 8 Hasil Karakterisasi Piroelektrik... 8 Hasil Karakterisasi Konstanta Dielektrik... 1 KESIMPULAN DAN SARAN... 1 Kesimpulan... 1 Saran DAFTAR PUSTAKA... 11

8 DAFTAR TABEL Halaman Tabel 4.1. Data komposisi penyusun film BST... 7 Tabel 4.2. Arus fotovoltaik film tipis BST dan BNST pada tiga variasi intensitas sumber... 8 Tabel 4.3. Hasil keseluruhan koefisien piroelektrik pada film tipis BST dan BNST... 1 Tabel 4.4. Hasil keseluruhan konstanta dielektrik pada film tipis BST dan BNST... 1 DAFTAR GAMBAR Halaman Gambar 2.1. Ilustrasi dari tingkat donor dan akseptor... 2 Gambar 2.2. Simple Variable Spin Coater... 2 Gambar 2.3. Sel fotovoltaik... 3 Gambar 2.4. Sinyal hasil interaksi berkas elektron dengan spesimen... 4 Gambar 3.1. Proses annealing... 5 Gambar 3.2. Struktur dan konfigurasi pengukuran sel fotovoltaik... 5 Gambar 3.3. Rangkaian pengukuran fotovoltaik... 6 Gambar 3.4. Rangkaian penentuan konstanta dielektrik film tipis... 6 Gambar 3.5. Rangkaian current to voltage converter... 6 Gambar 4.1. Morfologi permukaan film tipis BST diatas substrat Si (1) tipe-p dengan temperatur annealing 9 C dan perbesaran 2. kali... 7 Gambar 4.2. Penampang melintang film tipis BST diatas substrat Si (1) tipe-p dengan temperatur annealing 9 C dan perbesaran 2. kali... 7 Gambar 4.3. Grafik komponen penyusunan BST hasil karakterisasi EDS Gambar 4.4. Diagram hasil pengukuran arus sel fotovoltaik pada tiga variasi intensitas... 8 Gambar 4.5. Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BST dengan suhu annealing 85 C... 9 Gambar 4.6. Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BNST dengan suhu annealing 85 C... 9 Gambar 4.7. Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BST dengan suhu annealing 9 C... 9 Gambar 4.8. Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BNST dengan suhu annealing 9 C... 9 Gambar 4.9. Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BST dengan suhu annealing 95 C... 9 Gambar 4.1. Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BNST dengan suhu annealing 95 C... 9 Gambar Diagram perbandingan nilai koefisien piroelektrik... 9 Gambar Kurva perbandingan konstanta dielektrik pada tiga variasi suhu anealing... 1 DAFTAR LAMPIRA Lampiran 1. Diagram alir penelitian... 13

9 PE DAHULUA Latar Belakang Sejak tahun 1989, film tipis ferroelektrik telah mendapat perhatian khusus dalam aplikasi elektronik. Hal yang menarik adalah dapat digunakan untuk FRAM (Ferroelectric Random Access Memory). Film tipis Ba x Sr 1- xtio 3 (BST) banyak digunakan sebagai FRAM karena memiliki konstanta dielektrik dan kapasitas penyimpanan muatan yang tinggi Aplikasi elektronik yang paling utama dari film tipis ferroelektrik adalah : 1. on-volatile memori yang menggunakan kemampuan polarisasi yang tinggi 2. Kapasitor film tipis yang menggunakan sifat dielektrik 3. Sensor piroelektrik yang menggunakan perubahan konstanta dielektrik karena pengaruh suhu 4. Aktuator piezoelektrik yang menggunakan efek piezoelektrik yaitu timbulnya polarisasi akibat perubahan tekanan 1. Film tipis Ba x Sr 1-x TiO 3 dapat dibuat dengan metode chemical solution deposition (CSD). Keunggulan dari metode ini adalah dapat mengontrol stokiometri film dengan kualitas yang baik, prosedur yang mudah dan membutuhkan biaya yang relatif murah. Spin coater yang digunakan memakai kecepatan putar 3 rpm dan waktu putar selama 3 detik 2. Pada penelitian ini akan dilakukan pembuatan film tipis Ba,25 Sr,75 TiO 3 (BST) dan Ba,25 Sr,75 TiO 3 yang didadah dengan Niobium Penta Oksida (Nb 2 O 5 ) 5% (BNST) dengan metode CSD (chemical solution deposition) yang kemudian akan dilakukan karakterisasi yaitu, uji efek fotovoltaik, penentuan konstanta dielektrik dan pengujian lainnya. Tujuan Penelitian 1. Melakukan penumbuhan film tipis dari bahan Ba,25 Sr,75 TiO 3 baik murni maupun yang didadah Niobium diatas substrat Si (1) tipe-p dengan metode chemical solution deposition (CSD). 2. Mempelajari sifat fotovoltaik dari film tipis. 3. Menguji sifat piroelektrik film tipis. 4. Menentukan konstanta dielektrik film tipis. 5. Mengamati morfologi bahan dan menentukan ketebalan film tipis serta mengetahui unsur-unsur kimia penyusun film tipis. TI JAUA PUSTAKA Barium Stronsium Titanat (Ba.5 Sr.5 TiO 3 ) Barium Stronsium Titanat atau yang biasa disebut dengan BST banyak digunakan sebagai FRAM karena memiliki konstanta dielektrik yang tinggi dan kapasitas penyimpanan muatan yang tinggi 3. Karakteristik BST dapat diaplikasikan dalam berbagai macam piranti seperti; konstanta dielektrik yang tinggi membuat BST dapat digunakan sebagai DRAMs (Dynamic Access Random Memories) 4 dan juga dapat diaplikasikan dalam pembuatan multi-layer capasitor (MLC) 5, selain itu BST juga memiliki kapasitas penyimpanan muatan yang tinggi (high charge storage capacity), kebocoran arus yang rendah (low leakage current) dan memiliki kekuatan breakdown yang tinggi pada temperatur curie yang dapat diaplikasikan sebagai NVRAM ( on-volatile Random Access memories) dan FRAM (Ferroelectric Random Access Memories) 6. Selain itu, BST dipilih karena pembuatannya dapat dilakukan di laboratorium dengan peralatan sederhana. Berikut Persamaan reaksi BST yang digunakan pada penelitian ini :.25Ba(CH 3 COO) Sr(CH 3 COO) 2 + Ti(C 12 H 28 O 4 ) + 22O 2 Ba.25 Sr.75 TiO CO H 2 O Silikon Silikon kristal murni adalah material rapuh berwarna abu-abu metalik. Dengan modulus Young sebesar 19 GPa untuk <111>, 17 GPa untuk <11> dan 13 GPa untuk <1>. Silikon memiliki koefisien ekspansi termal yang rendah dan konduktivitas termal yang tinggi, meleleh pada o C (1.686 K). Berat atom silikon adalah 4,6638 x1-23 g/mol, densitasnya 2,328 gcm -3. Silikon memiliki struktur kristal yang sama dengan intan (fcc) dengan konstanta kisi,54395 nm 7. Struktur atom kristal silikon terdiri dari satu inti atom yang masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 buah elektron (oktaf), sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya.

10 hole atau secara singkat membuat film tipis cenderung bertipe-p 1. iobium ( b 2 O 5 ) Bahan pendadah yang digunakan dalam penelitian ini adalah Niobium penta oksida (Nb 2 O 5 ). Gambar 2.1 Ilustrasi dari tingkat donor dan akseptor. Bahan Pendadah Pendadah adalah bahan yang digunakan untuk menambah jumlah elektron atau hole pada semikonduktor. Penambahan bahan pendadah dapat menyebabkan perubahan parameter kisi, konstanta dielektrik, sifat elektrokimia, sifat elektro optik dan sifat piroelektrik dari keramik dan film tipis. Untuk menaikkan konsentrasi elektron atau hole, diperlukan impuritas dalam kristal semikonduktor. Seperti yang ditunjukkan pada Gambar 2.1, dopan-dopan tersebut memiliki energi sedikit lebih besar diatas pita valensi (akseptor) atau sedikit lebih rendah dibawah pita konduksi (donor). Akseptor menerima penambahan elektron dari pita valensi dan termuati ion-ion negatif, sehingga membentuk sebuah hole (doping p).. Donor melepaskan sebuah elektron kedalam pita konduksi dan termuati ion-ion positif (doping n). Konsentrasi pembawa minoritas menjadi jauh lebih kecil dibandingkan konsentrasi pembawa mayoritas 8. Bahan pendadah material ferroelektrik dibedakan menjadi dua jenis, yaitu soft dopant dan hard dopant, ion soft dopant dapat menghasilkan material ferroelektrik menjadi soften, seperti koefisien elastis lebih tinggi, sifat medan koersif yang lebih rendah, faktor kualitas mekanik yang lebih rendah dan kualitas listrik yang lebih rendah. Soft dopant disebut juga dengan istilah donor dopan karena menyumbang valensi yang berlebih pada struktur kristal BST 1, 9. Ion hard dopant dapat menghasilkan material ferroelektrik menjadi lebih hardness, loss dielectric yang rendah, bulk resistivitas lebih rendah, sifat medan koersif lebih tinggi, faktor kualitas mekanik lebih tinggi dan faktor kualitas listrik lebih tinggi. Hard dopant disebut juga dengan istilah acceptor dopant karenaa menerima valensi yang berlebih di dalam struktur kristal BST 1,9. Bahan pendadah jenis hard dopant merupakan bahan pendadah yang dapat menghasilkan film tipis yang pembawa mayoritasnya adalah Metode Chemical Solution Deposition (CSD) Metode Chemical Solution Deposition (CSD) merupakan cara pembuatan film dengan pendeposisian larutan bahan kimia di atas substrat, yang dipreparasi dengan spin coating pada kecepatan putar tertentu biasanya digunakan kecepatan putar 3 rpm 3,12. Spin coating adalah cara yang mudah dan efektif dalam pelapisan film tipis diatas substrat datar. Spin Coating merupakan teknik pelapisan bahan dengan cara menyebarkan larutan keatas substrat kemudian diputar dengan kecepatan konstan untuk memperoleh lapisan baru yang homogen. Spin coating melibatkan akselerasi dari genangan cairan diatas substrat yang berputar. Material pelapis dideposisi di tengah substrat. Ilmu fisika yang melatarbelakanginya melibatkan keseimbangan antara gaya sentrifugal yang diatur oleh kecepatan putar dan viskositas. Beberapa parameter yang terlibat dalam spin coating adalah: a. Viskositas larutan b. Kandungan padatan c. Kecepatan angular d. Waktu putar Pada Gambar 2.2 diperlihatkan contoh dari alat Spin Coating yang digunakan. Proses pembentukan film dipengaruhi oleh dua parameter bebas yaitu kecepatan putar dan viskositas. Rentang ketebalan film yang dihasilkan oleh spin coating adalah 1-2µm. Gambar 2.2 Simple Variable Spin Coater.

11 Untuk film yang lebih tebal dibutuhkan material berviskositas tinggi, kecepatan putar yang lebih rendah dan waktu putar yang lebih pendek. Dalam prakteknya, Spin Coating memiliki beberapa kelebihan, yaitu : a. Ketebalan lapisan dapat diatur b. Biaya relatif murah c. Mudah dalam pembuatan d. Menggunakan material dan peralatan yang sederhana Efek Fotovoltaik Fotovoltaik dikenal sebagai sebuah metode untuk menghasilkan tenaga surya dengan menggunakan sel surya yang terpasang dalam modul fotovoltaik, untuk mengonversi energi dari matahari menjadi arus listrik 12. Sel surya adalah piranti yang dapat mengonversi energi dari matahari secara langsung menjadi listrik. Sel surya bergantung pada proses mekanika kuantum yang dikenal dengan efek fotovoltaik. Sel surya juga dikenal sebagai sel fotovoltaik (photovoltaic cells), sebuah kata yang berasal dari bahasa yunani, photo artinya cahaya, dikombinasikan dengan nama fisikawan Italia Alessandro Volta, yang menemukan baterai pertama kalinya 14. Contoh bentuk fisik dari sel fotovoltaik ditunjukkan pada Gambar 2.3. Sebuah sel surya terdiri dari dua lapisan semikonduktor, satu tipe-p dan yang lainnya tipe- n, keduanya diapit untuk membentuk sebuah persambungan p-n. Bentuk p-n ini menginduksi sebuah medan listrik melewati persambungan. Ketika partikel cahaya (foton) diserap oleh semikonduktor, foton mentransfer energinya kepada beberapa elektron semikonduktor, yang nantinya memungkinkan untuk bergerak melalui bahan. Dalam sebuah sel surya, elektron dan hole di dekat persambungan p-n menjalar melalui arah yang berlawanan oleh karena adanya medan listrik dan yang lainnya berdifusi ke arah persambungan untuk menggantikan elektron dan hole. Pemisahan muatan ini menginduksi tegangan melewati piranti. Dengan menghubungkan piranti ke rangkaian luar, elektron mampu untuk mengalir, dan aliran elektron ini yang disebut dengan listrik 14. Gambar 2.3 Sel fotovoltaik 13. Konstanta dielektrik Suatu material non-konduktor, seperti kaca, kertas atau kayu disebut dielektrik. Ketika suatu dielektrik diletakkan diantara keping-keping kapasitor, medan listrik dari kapasitor mempolarisasikan molekul-molekul dielektrik. Hasilnya adalah terdapat suatu muatan terikat pada permukaan dielektrik yang menghasilkan medan listrik yang berlawanan dengan medan listrik luar. Kemampuan material untuk polarisasi dinyatakan sebagai permitivitas (ε), dan permitivitas relatif (κ) adalah rasio antara permitivitas material (ε) dengan permitivitas vakum (ε ). Nilai konstanta dielektrik merupakan gambaran dimana material tersebut dapat menyimpan muatan listrik seiring dengan salah satu fungsi kapasitor sebagai penyimpan muatan 1. Contoh perhitungan konstanta dielektrik dapat dilakukan dengan perhitungan sebagai berikut : I = I o e -t/rc nilai maksimum terjadi pada saat I I I =, e e = I e t RC Sehingga didapat hubungann t = RC, atau Dari hubungan t C = R C=εε A d (2.1) (2.2) (2.3) (2.4) (2.5) Dimana : ε = permitivitas relatif dalam ruang hampa = 8,85 x 1-12 C 2 /N m 2 ; A = luas kontak aluminiumm = 2,5 x 1-7 cm 2. d = ketebalan film tipis,

12 sehingga konstanta dielektrik film tipis : ε = Cxd Ax ε (2.6) Scanning Electron Microscope (SEM) dan Electron Dispersion Spectroscopy (EDS) SEM berfungsi untuk mengamati morfologi bahan, keunggulannya terutama disebabkan oleh beragamnya sinyal yang dihasilkan oleh interaksi antara berkas elektron dengan spesimen (Gambar 2.4). Deteksi dan pengolahan terhadap sinyal yang beragam itu menghasilkan berbagai tampilan data 15. Kata kunci dari prinsip kerja SEM adalah scanning yang berarti bahwa berkas elektron menyapu permukaan spesimen, titik demi titik dengan sapuan membentuk garis demi garis, mirip seperti gerakan mata yang membaca. Sinyal elektron sekunder yang dihasilkannya pun adalah dari titik pada permukaan, yang selanjutnya ditangkap oleh Secondary Electron Detector dan kemudian diolah dan ditampilkan pada layar CRT (TV). Scanning coil yang mengarahkan berkas elektron bekerja secara sinkron dengan pengarah berkas elektron pada tabung layar TV, sehingga didapatkan gambar permukaan spesimen pada layar TV. Electron Dispersion Spectroscopy (EDS) terintegrasi dengan SEM, merupakan suatu alat yang berfungsi untuk mengetahui komposisi penyusun dari suatu senyawa sehingga dapat mengetahui kesesuaian dengan stokiometri pembuatannya. Analisis dari energi terhadap cacah, puncak-puncak yang muncul dapat menghasilkan informasi kualitatif dan kuantitatif mengenai komposisi penyusun pada sampel 16. Gambar 2.4 Sinyal hasil interaksi berkas elektron dengan spesimen 13. BAHA DA METODE Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material Departemen Fisika IPB dari bulan juli 27 hingga bulan Maret 28. Alat dan Bahan Alat yang digunakan terdiri atas neraca analitik model BL 61, spin coater, furnace model Vulcan 3-31 dan orberterm, SEM JEOL model JSM-35C, pemotong substrat, mortar, gelas ukur pyrek 1 ml, beaker glass, gunting, masker, pinset, double tape, tabung reaksi, kompresor udara, pipet, potensiometer, resistor 1KΩ dan 1MΩ, spatula, stop watch, multimeter, cawan petri, bread board, sarung tangan karet, tisu. Bahan yang digunakann terdiri dari bubuk Barium Asetat [Ba(CH 3 COO) 2, 99%], bubuk Stronsium Asetat [Sr(CH 3 COO) 2, 99%], Titanium Isopropoksida [Ti(C 12 O 4 H 28 ), %], pelarut 2-Metoksietanol [H 3 COCH 2 CH 2 OH, 99%], Substrat Si (1) tipe-p, Niobium Penta Oksida (Nb 2 O 5 ), HF, Alumunium foil. Persiapan Substrat Si (1) Tipe-p Substrat yang digunakan adalah substrat Si (1) tipe-p. Substrat berbentuk segi empat dengan ukuran 1 cm x 1 cm. Substrat Si (1) tipe-p dicuci dan dibersihkan dengan cara direndam dalam larutan Asam Florida (HF 5%) sebanyak 2% dari dye water atau aquades yang ditentukan. Pembuatan Larutan BST dan B ST Barium Asetat dan Stronsium Asetat yang telah digerus selama 3 jam, diambil sebanyak,3811 gram dan,4595 gram untuk dicampur dengan,717 gram Titanium Isopropoksida dan 2,5 ml 2-Metoksietanol dalam gelas ukur. Tutup rapat-rapat tabung reaksi, kemudian di kocok selama 1 jam agar campuran dapat larut dengan baik. Setelah larut, saring larutan BST dengan kertas saring. BST siap di deposisi dengan teknik CSD. Pada pembuatan BST ada yang ditambahkan niobium penta oksida (Nb 2 O 5 ) sebagai pendadah sebanyak 5%. Proses Pendeposisian BST dan B ST Substrat Si (1) ditempelkan pada plat pemutar. Larutan BST diteteskan di atas substrat tersebut sebanyak 1 tetes. Alat spin coating diputar dengan laju 3 rpm selama 3 detik. Setelah itu dilakukan proses annealing selama 15 jam pada variasi suhu 85 C, 9 C dan 95 C.

13 Proses Annealing Suhu T ann 1 o C/jam 15 jam furnace cooling Bidang kontak Lapisan alumunium Si tipe - p (a) header Lapisan alumunium Bidang kontak Film tipis BST atau BSNT T o Kenaikan Suhu Penurunan Suhu Waktu film Si-p Gambar 3.1 Proses annealing. Proses annealing ditunjukkan seperti terlihat pada Gambar 3.1. Proses annealing pada film dilakukan dengan menggunakan furnace model Vulcan Proses annealing dilakukan secara bertahap. Pemanasan dimulai dari suhu ruang dimana kenaikan suhu furnace diatur dengan kenaikan suhu 1.67 o C per menit. Setelah itu furnace diatur untuk menahan suhu annealing tersebut selama 15 jam. Selanjutnya dilakukan furnace cooling sampai dicapai kembali suhu ruang. Pembuatan Sel Fotovoltaik Setelah proses annealing, tahap berikutnya adalah pembuatan kontak di atas permukaan substrat silikon dan diatas film tipis BST atau BNST. Pembuatan kontak ini dilakukan di Lab Fisika Material Institut Teknologi Bandung (ITB). Gambar 3.2. merupakan sketsa kontak dan posisinya pada substrat dan film tipis. Proses penumbuhan alumunium dilakukan dengan metode evaporasi pada tekanan 1-3 barr. Proses penumbuhan alumunium ini bertujuan untuk mempermudah karakterisasi yang dilakukan pada kabel penghubung dengan multimeter. Kabel penghubung dibuat antara masing-masing kontak dengan intreger (header) sehingga dapat mempermudah pengukuran arus dan tegangan 17. Karakterisasi Karakterisasi Fotovoltaik Karakterisasi Fotovoltaik ini bertujuan untuk menentukan hubungan antara besaran suhu annealing dan konsentrasi pendadah dengan tegangan dan arus yang dihasilkan oleh sel fotovoltaik. Karakterisasi ini menggunakan rankaian yang ditunjukkan pada Gambar 3.3. Hasil atau keluaran dari pengujian ini merupakan tegangan yang dianggap sebagai tegangan keluaran film tipis. Hubungan arus dan tegangan yang dihasilkan oleh film tipis dapat dihitung dengan menggunakan hukum Ohm yang dituliskan dalam persamaan : V = I.R (3.1) Dimana R yang digunakan adalah 1MΩ, sehingga V out = I TF.1MΩ (3.2) Arus yang dihasilkan : (b) Gambar 3.2 Struktur dan konfigurasi pengukuran sel fotovoltaik. (a).tampak samping. (b).tampak atas I TF Vout = 1Mohm (3.3) dimana V out merupakan hasil keluaran yang terbaca dari rangkaian yang ditunjukkan pada Gambar 3.3 dan I TF merupakan arus yang dihasilkan oleh film tipis yang dapat dihitung dengan menggunakan persamaan

14 di J = = A dq dt A (3.4) dimana J adalah rapat arus film tipis. Persamaan (3.4) dikalikan dengan momen dipol (p) sehingga didapat: Gambar 3.3 Rangkaian pengukuran fotovoltaik. Karakterisasi Konstantaa Dielektrik Pada karakterisasi ini, rangkaian yang digunakan adalah rangkaian pada Gambar 3.4. Dari rangkaian pengukuran ini ditentukan nilai kapasitansi (C) film. Sedangkan untuk penentuan besar konstanta dielektriknya dapat menggunakan persamaan 2.6. Karakterisasi Piroelektrik Karakterisasi ini bertujuan untuk mengetahui hubungan arus yang dihasilkan dari suatu film tipis dengan panas yang divariasikan melalui suatu rangkaian OP- pada Gambar AMP seperti yang ditunjukkan 3.5. Sensor yang digunakan merupakan sensor suhu dari sumber kalor berupa mesin furnace dengan kenaikan suhu dari suhu ruang sampai suhu 16 o C. Keluaran dari rangkaian op-amp adalah berupa tegangan yang nantinya akan dikonversi menjadi nilai arus melalui perhitungan dari hubungan arus dan tegangan, kemudian dibuat kurva rapat arus terhadap kenaikan suhu per satuan waktu dalam suatu analisis regresi linier dimana koefisien arah regresi merupakan nilai dari koefisien piroelektrik. dq dt A l x l = dqxl dt V dimana P adalah polarisasi dan l adalah ketebalan sampel. dp = dt di = A dp dt x dt dt dp dt x dt dt dp dimana adalah koefis sien piroelektrik. dt dt Keterangan : = 1 o C/s 2 dt 2. dp = (3.5) dt (3.6) (3.7) Panas Gambar 3.4 Rangkaian penentuan konstanta dielektrik film tipis 18. Untuk perhitungan koefisien piroelektriknya diturunkan berikut ini. Rapat arus sampel dengan luas penampang A diberikan oleh : Gambar 3.5 Rangkaian current to voltage Converter 19.

15 HASIL DA PEMBAHASA Hasil Karakterisasi SEM dan EDS SEM Seperti yang telah disebutkan pada tinjauan pustaka bahwasaa metode SEM dapat digunakan untuk memberikan gambaran permukaan sampel secaraa lebih rinci dan tiga dimensi. Metode ini juga dapat digunakan untuk mengetahui ketebalan film tipis yang telah ditumbuhkan. Pada Gambar 4.1 ditunjukkan hasil SEM dari film tipis BST dengan suhu annealing 9 o C dan perbesaran 2. kali. Sedangkan pada Gambar 4.2 ditunjukkan penampang melintang film tipis BST yang merepresentasikan ketebalan film tipis tersebut. Adapun ketebalan yang didapat adalah sebesar,432 µm. Variasi ketebalan film tipis diakibatkan oleh teknik pendeposisian yang digunakan 2. EDS Gambar 4.3 Grafik komponen penyusun BST hasil karakterisasi EDS. Tabel 4.1 Data komposisi penyusun film BST. Element kev Mass % Error % At % O,525 9,61 Si 1,739 81,7 Ti 4,58 3,29 Sr - - Ba 4,464 3,59 Nb 2,166 2,44 Total 1 3,62 16,64,99 8, 3,34 1, ,21,72 6,47,73 1 Gambar 4.1 Morfologi permukaan film tipis BST diatas substrat Si-p dengan temperatur annealing 9 o C dan perbesaran 2. kali. Ketebalan film tipis 432 nm Gambar 4.2 Penampang melintang film tipis BST diatas substrat Si-p dengan temperatur annealing 9 o C dan perbesaran 2. kali. Hasil dari karakterisasi EDS adalah berupa komposisi penyusun film BST seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4.3. Data komposisi nilai hasil karakterisasi EDS ditunjukkan pada Tabel 4.1. Dimana presentase komponen penyusun film tipis BST terdiri dari Oksigen (O 2 ) = 9,61%, Silikon (Si) = 81,7%, Titanium (Ti) = 3,29%, Niobium (Nb) = 2,44% dan Barium (Ba) = 3,59%. Dari presentase tersebut nampak bahwa presentase terbesar penyusun film BST ada pada silikon (Si), karena silikon digunakan sebagai substratnya. Pada gambar tidak nampak besaran nilai dari unsur stronsium (Sr). Hal ini bisa diakibatkan oleh sifat stronsium yang mudah menguap, selain itu juga ditambah dengan penguapan yang terjadi pada proses annealing maupun proses pemanasan lainnya. Penguapan pada proses annealing ini mengakibatkan konsentrasi dari masing-masing unsur mengalami pengurangan, sehingga wajar jika terdapat perbedaan antara hasil perhitungan stokiometri dengan hasil yang ditunjukkan pada karakterisasi EDS.

16 Hasil Karakterisasi Efek Fotovoltaik Pada Tabel 4.2 dan Gambar 4.4 diperlihatkan nilai-nilai hasil dari pengujian efek fotovoltaik. Pada gambar dan tabel tersebut nampak bahwa, arus maksimum film BST terjadi pada suhu annealing 85 o C dengan pendadah niobium pada intensitas 1W. Secara rata-rata seiring dengan kenaikan suhu annealing, nilai arus film tipis menunjukkan adanya penurunan. Penurunan nilai arus ini diakibatkan oleh penguapan pada proses annealing yang semakin tinggi mengakibatkan konsentrasi unsur yang ditanam pada film tipis akan berkurang. Berdasarkan pada Tabel 4.2 dan Gambar 4.5, nampak bahwa penambahan pendadah niobium menaikkan arus keluaran dari sel fotovoltaik. Selain pengaruh suhu annealing dan penambahan pendadah, intensitas cahaya sumber yang digunakan juga berpengaruh. Yaitu dengan adanya peningkatan nilai arus ketika nilai intensitas sumber yang diberikan diperbesar nilainya. Ketika film tipis belum disinari, dimana intensitasnya adalah watt/m 2, arus keluaran fotovoltaik sama dengan nol, artinya tidak ada interaksi elektron yang menghasilkan arus. Ketika intensitas yang diberikan menjadi 25 watt/m 2, timbul arus keluaran dan ketika intensitas dinaikkan menjadi 1 watt/m 2, arus yang dihasilkan sel fotovoltaik meningkat. Hal ini dapat dikaitkan dengan teori efek fotolistrik. Semakin tinggi intensitas dari suatu sumber, energinya akan semakin besar sehingga semakin besar tambahan energi elektronnya, akibatnya arus yang dihasilkan semakin besar. Arus (µa),6,4, Intensitas (Watt/m 2 ) %;85 5%;85 %;9 5%;9 %;95 5%;95 Gambar 4.4 Diagram hasil pengukuran arus sel fotovoltaik pada tiga variasi intensitas (W, 25W,1W). Tabel 4.2 Arus fotovoltaik film tipis BST dan BNST pada tiga variasi intensitas sumber. Konsentrasi Pendadah ( b 2O 5) Suhu Annealing ( o C) Intensitas Sumber (Watt/m 2 ) Arus (ma) % 85 % 9 % 95 5 % 85 5 % 9 5 % 95 % ,7E -9 % ,E -1 % E -1 5 % ,9E -9 5 % ,E -9 5 % ,89E -8 % ,9E -2 % 9 1 2,E -2 % ,89E -1 5 % ,51E -1 5 % 9 1 6,4E -2 5 % ,54E -1 Hasil Karakterisasi Piroelektrik Pada karakterisasi ini, analisis yang dilakukan berupa hubungan antara konsentrasi bahan pendadah dan suhu annealing yang digunakan dengan koefisien piroelektrik dari film tipis BST dan BNST. Hasil plot antara rapat arus dengan kenaikan suhu per satuan waktu pada film tipis BST dan BNST ditunjukkan pada Gambar 4.5 sampai dengan Gambar 4.1. Dari gambar tersebut tampak bahwa nilai arus menurun dengan adanya kenaikan suhu. Ini bertentangan dengan teori dimana pada suhu ruang, bahan semikonduktor menunjukkan adanya kekonduksian arus. Semakin tinggi suhu yang diberikan, semakin tinggi pula arus yang dihasilkan 21. Mekanisme kenaikan arus ini merupakan hasil dari interaksi muatan ketika suatu material semikonduktor diberi tambahan energi berupa energi kalor 21,23. Kenaikan energi kalor tersebut mempermudah elektron untuk berpindah dari pita valensi menuju pita konduksi yang berarti akan menaikkan arus keluaran. Pembawa mayoritas berupa elektron jumlahnya akan meningkat seiring dengan adanya kenaikan suhu 24. Selain hubungan antara rapat arus dengan kenaikan suhu, juga dapat dianalisa hubungan koefisien piroelektrik dengan kenaikan suhu annealing.

17 Hubungan tersebut dapat dilihat pada Gambar 4.11 dan Tabel 4.3. Nilai koefisien piroelektrik semakin menurun seiring dengan naiknya suhu annealing. Koefisien piroelektrik juga semakin menurun ketika diberi pendadah niobium. di/a,6,5,4,3,2 y =,43x R 2 =,9714, di/a,45,4,35,3,25,2 y =,98x R 2 =,7657 Gambar 4.8 Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BNST dengan suhu annealing 9 o C. dt/dt,15,1,5,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 Gambar 4.5 Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BST dengan suhu annealing 85 o C. dt/dt,8,7,6 y =,8x,5 R 2 =,7851,4,3,2, di/a dt/dt,1 2,1, 8 y =, 5 4 x R 2 =, Gambar 4.9 Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BST dengan suhu annealing 95 o C. di/a, 6,25 y =,2x R 2 =,9371, 4,2, 2, di/a,1 Gambar 4.6 Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BNST dengan suhu annealing 85 o C. d T/dt, dt/dt,14,12,1 y =,76x R 2 =,6248 Gambar 4.1 Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BNST dengan suhu annealing 95 o C.,8 di/a,6,4, Gambar 4.7 Grafik hasil uji piroelektrik film tipis BST dengan suhu annealing 9 o C. dt/dt Koefisien Piroelektrik (C/m 2o C),1,8,6,4, Suhu Annealing ( o C) % 5% Gambar 4.11 Diagram perbandingan nilai koefisien piroelektrik.

18 Tabel 4.3 Hasil keseluruhan koefisien piroelektrik pada film tipis BST dan BNST. Konsentrasi Pendadah ( b 2 O 5 ) Suhu Annealing ( o C) Koefisien piroelektrik (C/m 2 o C) % 85,9 % 9,7 % 95,3 5 % 85,6 5 % 9,4 5 % 95,1 Tabel 4.4 Hasil Keseluruhan konstanta dielektrik film tipis BST dan BNST. Konsentrasi Pendadah ( b 2O 5) Konstanta Dielektrik Suhu Anneling ( o C) Konstanta dielektrik % 85 5,85 % 9 4,88 % % 85 4,27 5% 9 3,66 5% 95 2, Suhu Annealing ( C) Gambar 4.12 Diagram perbandingan konstanta dielektrik pada tiga variasi suhu annealing. Hasil Karakerisasi Konstanta Dielektrik Nilai konstanta dielektrik merupakan gambaran dimana material tersebut dapat menyimpan muatan listrik seiring dengan salah satu fungsi kapasitor sebagai penyimpan muatan. Penentuan konstanta dielektrik film tipis BST dan BNST dapat dilakukan dengan menggunakan rangkaian pada Gambar 3.4 dan perumusan yang tertera pada persamaan 2.1 sampai dengan 2.5. % 5% Pada Gambar 4.12 dan Tabel 4.4 diperlihatkan hasil dari perhitungan konstanta dielektrik. Pada gambar tersebut nampak adanya dua faktor penting yang mempengaruhi besarnya nilai konstanta dielektrik. Yaitu faktor suhu annealing dan faktor bahan pendadah niobium. Pengaruh suhu annealing terhadap konstanta dielektrik dapat dilihat pada Gambar 4.12, dimana nilai maksimum konstanta dielektrik terjadi pada film BST suhu 85 o C dan minimum konstanta dielektrik terjadi pada film BNST suhu 95 o C. Seiring dengan kenaikan suhu annealing pada film tipis, akan menurunkan nilai konstanta dielektriknya. Hal ini dapat disebabkan oleh berkurangnya konsentrasi zat karena penguapan yang terjadi semakin besar seiring dengan meningkatnya suhu annealing. Pengaruh bahan pendadah niobium terhadap nilai konstanta dielektrik dapat dilihat juga pada Gambar Dari gambar tersebut, penambahan pendadah niobium membuat konstanta dielektrik semakin menurun, hal ini disebabkan oleh adanya penurunan konsentrasi elektron yang diakibatkan oleh adanya proses rekombinasi elektron-hole, sehingga menurunkan arus konduksi yang membuat waktu pengisian muatan semakin kecil akibatnya kemampuan polarisasi menjadi berkurang yang mengakibatkan konstanta dielektriknya menjadi turun 22. KESIMPULA DA SARA Kesimpulan Penumbuhan film tipis Ba,25 Sr,75 TiO 3 (BST) dengan pendadah Niobium (Nb 2 O 5 ) (BNST) di atas substrat Si(1) telah berhasil dilakukan. Metode yang digunakan adalah metode chemichal solution deposition (CSD) dengan teknik spin coating pada kecepatan putar 3 rpm dalam waktu 3 detik. Dari eksperimen yang telah dilakukan, dapat disimpulkan bahwa, efek fotovoltaik film tipis BST dan BNST mengalami kenaikan ketika suhu annealing bertambah. Pada uji piroelektrik, nilai koefisien piroelektrik menurun ketika suhu annealing dinaikkan dan lebih rendah lagi ketika diberikan pendadah niobium. Pada penentuan konstanta dielektrik menunjukkan adanya penurunan ketika suhu annealing dinaikkan, begitu pula dengan penambahan pendadah niobium yang membuat nilai konstanta dielektrik semakin menurun.

19 Hasil SEM dengan perbesaran 2. kali dari film tipis BNST menunjukkan adanya kehomogenan pada morfologi permukaannya. Selain morfologi, juga didapat nilai ketebalan film tipis BNST yaitu sebesar,432 µm. Hasil EDS menunjukkan bahwa komposisi penyusun pada BNST tidak sepenuhnya sesuai dengan stokiometri yang dipakai pada saat pembuatannya. Saran Pada penelitian selanjutnya, perlu juga dicari pengaruh termal terhadap sifat sel fotovoltaik dalam keadaan yang berbeda, sehingga akan dapat dilihat pengaruh termal dan foton terhadap bahan ferroelektrik tesebut. Perlunya perhatian khusus dalam pemasangan indium pada kontak, agar dapat mempermudah proses pengukuran atau pengambilan data, karena diharapkan dengan pemasangan indium yang baik maka akan diperoleh nilai keluaran yang lebih stabil. Proses annealing sebaiknya dilakukan secara masing-masing, untuk mencegah timbulnya kontaminasi zat yang terjadi saat proses penguapan berlangsung. DAFTAR PUSTAKA [1]. Seo, J.Y, Park S.W. 24. Chemical Mechanical Planarization Characteristic of Ferroelectric Film for FRAM Applications. Journal of Korean Physical society, Vol 45 (3) : [2]. Uchino, K. 2. Ferroelectric Devices. New York : Marcel Dekker. [3]. T, Sumardi. 24. Penumbuhan Film Tipis Bahan PbZrxTi 1-x O3 Doping In 2 O 3 (PIZT) dengan Metode Chemical Solution Deposition (CSD). Skripsi, Institut Pertanian Bogor. [4]. R Thomas, R Gregory, B Baumert Characterization of Barium Stronsium Titanate Film Using XRD. JCPDS-International Centre for Diffraction Data. [5]. Thomas A, Bernacky, Ivoyle. 24. Barium Stronsium Titanate Thin-film Multi layer Capacitor. Technical Paper. [6]. N.V Girindharan, R.jayavel, P.Ramsamy. 21. Structural, Morphological and Electrical Studies on Barium Stronsium Titanate Films by Sol-Gel Technique. Crystal Research Technology. Vol 36(1) : [7]. Lehmann, Volker. 22. Electrochemistry of Silicon. Wiley- VCH. Germany. [8]. Piprek, Joachim. 23. Semiconductor Optoelectronic Devices. Academic Press. USA. [9]. Irzaman, Y.Darvina, A Fuad, P.Arifin, M.Budiman and M Barmawi. Physical and Pyroelectric properties of Tantalum-oxide doped lead Zirconium titanate [Pb,995 O(Zr,525 Ti,465 Ta,1 )O 3 ] Thin film and Their Application for IR Sensor,phys,stat,sol (a) 199, no ,9 (23). [1]. Marwan, A. 27. Studi Efek Fotovoltaik Bahan Ba,5Sr,5TiO3 yang Didadah Galium (BGST) di Atas Substrat Si (1) Tipe-n. Skripsi, Departemen Fisika, Institut Pertanian Bogor. [11]. Irzaman, H Frimasto, M Kurniati. 26. Sifat Optik Film Tipis Bahan Ferroelektrik BaTIO3 yang Didadah Tantalum (BTT). Prosiding Seminar Nasional Keramik V, ISSN : [12]. Photovoltaic. [13. [14]. [15]. M. A. Omar Elementary Solid State Physics. Addison-Wesley Publishing Company, Inc. [16]. Handayani A., Sumaryo, Sitompul A. 27. Pengamatan Struktur Mikro

20 dengan Mikroskop Optik dan Scanning Electrón Microscope (SEM-EDAX). Pusat Pendidikan dan Pelatihan Badan Tenaga Nuklir Nasional. Serpong. [17]. Darmastiawan. H, Irzaman, Hikam M, Yogaraksa T. 22. Growth of Lead Zirconium Titanate (PbZr.525Ti.475O3) Thin Films Using Chemical Solution Deposition (CSD) Methode. [18]. Sze, S.M Physics of Semiconductor Devices 2nd edn. John Wiley and Sons, Singapore. [19]. A. Tombak, J-P. Maria, F. T. Ayguavuves, Z. Jin, G. T. Stauf, A. I. Kingon and A. Mortazawi. Voltagecontroled RF filters employing thinfilm barium-strontium-titanate tunable capacitors. 23. IEEE transactions on microwave theory and techniques, Vol. 51(2). [2]. D. Balzar, P. A. Ramakrishnan, P. Spagnoi, S. Mani, A. M. Hermann, M. A. Martin. 22. Influence of Strains and Defects on Ferroelectric and Dielectric Properties of Thin Film Barium Strontium Titanates. 22. Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41 pp [21]. H. Ramly. 22. Sifat Elektrik Bahan. http ://institut.fs.utm.mv/ ~ ramli/. [22]. Sutrisno ELEKTRO IKA Teori dan Penerapannya. Penerbit ITB, Bandung. [23]. Smallman R. E, R. J Bishop. 2. Metalurgi Fisik Modern dan Rekayasa Material. Erlangga, Jakarta. [24]. A. C. W. Utami. 27. Studi Efek Fotovoltaik Film Tipis Ba,5Sr,5TiO3 yang Didadah Tantalum (BSTT) di Atas Substrat Si (1) Tipe-p. Skripsi, Departemen Fisika, Institut Pertanian Bogor.

21 LAMPIRA

22 Lampiran 1. Diagram Alir Penelitian. Mulai Barium Asetat Stronsium Asetat 2-Metoksietanol Titanium Isopropoksi Dicampur BST BST + bahan pendadah Niobium Masing-masing dikocok selama 1 jam Disaring Precursor BST Precursor BNST 5% Spin coating pada 3 rpm selama 3 detik diatas substrat Si(1) yang berukuran 1 cm x 1 cm sebanyak 1 lapis. Annealing pada suhu 85 C, 9 C, dan 95 C selama 15 jam pada udara atmosfer di furnace model Vulcan 3-31 Film tipis BST Film tipis BNST 5% Film Tipis Gagal Berhasil Analisis dan Karakterisasi (Efek Fotovoltaik, Dielektrik, Piroelektrik, SEM dan EDS) Selesai