PENGARUH DOSIS ION DOP AN BORON DAN SUHU ANIL TERHADAP SIFAT LISTRIK SEMIKONDUKTOR SILIKON

Transkripsi

1 65 PENGARUH DOSIS ION DOP AN BORON DAN SUHU ANIL TERHADAP SIFAT LISTRIK SEMIKONDUKTOR SILIKON Elin Nuraini, Sudjatmoko, Tjipto Sujitno P3TM-BATAN, JI. Babarsari Kotak Pos Yogyakarta ABSTRAK PENGARUH DOSIS ION DOPAN BORON DAN SUHU ANIL TERHADAP SIFAT L/STR/K SEMIKONDUKTOR SIL/KON. Telah dilakukan implantasi ion ke dalam semikonduktor silikon dengan dopan boron. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh dopan boron terhadap resistivitas, kapasitansi lapisan deplesi dan tegangan dadal sambungan P-N yang dibuat. Untuk mendapatkan hasil sambungan P-N yang baik telah dilakukan variasi energi dari 40 ke V sampai 100 ke V, dosis ion dari ( :0.0186) x 10/6 ionicm2 sampai dengan (1.7891:0.0007) x 10/6 ionicm2. Pengukuran resistivitas dilakukan dengan menggunakan probe empat titik. kapasitansi lapisan deplesi dengan LCR-meter, don pengukuran tegangan dadal dengan mencari hubungan antara tegangan dan arus. Dari pengamatan yang dilakukan pada energi 100 kev dengan dosis (1.7891: ) x1o/6 ionicm2 terjadi penurunan nilai resistivitas yaitu sebesar 76.8 %, nilai kapasitansi persatuan luas sebesar ( : )pFcm-2, serlo tegangan dadal tertinggi sebesar 22.9 Volt tegangan dadal tersebut dicapai pada energi 40 kev dan dosis ( :0.0005) x 10/6 ionicm2. ABSTRAC THE EFECT OF BORON ION DOSE AND ANNEALING TEMPERATURE ON THE ELECTR/CS PROPERTIES OF SILICON SEMICONDUCTOR. Boron ion implantation into silicon semiconductor using 400 ke V ion implantor has been carried out. The main purpose of this research was to study the effect of boron ion dose and annealing temperature on the electrics properties such as resistivity, depletion layer capasitance and break down voltage of the P-N junction production. In order to get a good P-N junction, a variation energy from 40 kev to 100 kell; and ion dose from (0.149.:t )x 10/6 ionicm2 to (1.789.:t )xI0/6 ionicm2 have been done. The resistivity was measured using four point probe, LCR-meter for depletion layer capasitance, and I-V characteristicsfor measurement the break down voltage of the junction. From the experiment done. it was found that for ion energy 100 kev, ion dose in order of (I. 789:iO.0007)xI0/6 ionicm2, the resistivity decreased in the order of 76.8 %, the capasitance per unit area of the junction was ( :t )pFcm-2, while the highest break down voltage for P-N junction implanted at energy 40 kev and ion dose (1.342:iO.0005)xI0/6 ionicm2 is 22.9 Volt. PENDAHULUAN S emikonduktor merupakan bahan penting dalam teknologi mikroelektronika. Jenis semikonduktor yang sering digunakan adalah silikon dad germanium. Atom silikon dad germanium perlu disisipi ketidakmumian, agar sifat-sifat kelistrikan sesuai dengan yang dikehendaki. Proses penyisipan tersebut dinamakan doping dad atom ketidakmumiannya disebut dopan, Proses doping dapat dilakukan dengan tara difusi, epitaksi, atau implantasi ion. (1) Implantasi ion adalah suatu metoda untuk menempatkan atom ketidakmumian ke dalam bahan dengan tara mengionkan atom-atom, mempercepat ion-ion dalam suatu medan listrik, dad selanjlmya menembakkan ion-ion yang sudah dipercepat ke permukaan target. Parameter implantasi yang akan menentukan kualitas basil sesuai dengan yang diharapkan adalah : nomor dad massa ion, energi dad dosis ion, serta nomor dad massa atom sasaran. Implantasi ion merupakan salah satu metoda doping yang cukup diminati karena lebih efektif dan mempunyai beberapa keunggulan dibandingkan dengan metoda lainnya. Kelebihan metoda doping menggunakan implantasion antara lain: * Konsentrasi dari atom ketidakmurnian yang diimplantasikan sangat uniform. * Jumlah ketidakmurnian yang ditambahkan dapat dikontrol secara teliti yaitu dengan mengatur besarny arus berkas ion. * Kedalaman dati penelusupan atom ketidakmumian dapat diatur sangat teliti, dengan pengaturan energion. (2) * Dapat menghasilkan lapisan yang sanga tipis, kurang dari 100 /.lm. Selain mempunyai keunggulan tersebut, namun demikian teknik implantasi mempunyai kelemahan yaitu kedalaman penetrasi ion dangkal dan profil kerusakan untuk dosis rendah (~ 1012 ion/cm1 terbentuk lorong terisolasi dan terbatas ISSN

2 pada volume tertentu saja, sedangkan untuk dosis menempatkan atom ke dalam suatu bahan dengan tinggi (~ 1014 ion/cm1 akan ter~adi tumpang tindih dari daerah-daerah yang rusak. (I Kerusakan yang cara pengionan atom, pemercepatan di dalam medan listrik clan penembakan bahan(2). Dalam implantasi diakibat-kan oleh implantasi tersebut menurut ion, dopan yang aktif diionkan clan dipercepat Mayer dkk (1970) dapat dikompensasi sampai pada dengan energi tinggi lalu di implantasikan ke dalam batas-batas tertentu dengan memanaskannya, kristal. Efek implantasi yang berkaitan dengan sifat biasanya pada suhu 600oC-1000oC, karena dengan kelistrikan meliputi resistivitas keping, kapasitansi, adanya pamanasan diharapkan energi vibrasi atom- lapisan deplesi, jenis konduksi, jangkauan atom meningkat clan cenderung untuk kembali implantasi, konsentrasi dopan clan tegangan dadal. teratur. Pengukuran berbagai sifat tersebut dilakukan pada Pacta penelitian ini akan diamati pengaruh berbagai energi clan dosis ion dopan. Dalam dosis dad energi dopan terhadap sifat kelistrikan implantasi ketidakmurnian ditambahkan dengan tujuan untuk mengubah sifat kelistrikannya. Dopan semikonduktor setelah diimplantasi. Sifat kelistrikan yang akan diamati meliputi : resistivitas, bervalensi lima dapat memberikan satu kelebihan hole sebagai pembawa muatan posistip, untuk kapasitansi lapisan deplesi dad tegangan dadal. Tujuan dari penelitian ini adalah menyelidiki membentuk semikonduktor tipe P (Jiles, 1994). Dopan utama untuk silikon adalah boron clan fosfor. pengaruh energi dad dosis dopan terhadap sifat listrik semikonduktor silikon. Hila sudah diketahui Boron disini digunakan untuk pembawa muatan pengaruhnya, maka dapat ditentukan dosis terbaik lapisan semikonduktor type P. Dosis dopan boron yang masuk dalam substrat silikon dapat dihitung untuk mendapatkan sifat listrik paling optimum dengan persamaan : yang nantinya dapat dihasilkan sambungan P-N dari bahan semikonduktor silikon dengan kualitas yang baik. TEORI Semikonduktor Kurang lebih 25% kulit bumi mengandung silikon, hanya oksigen yang dapat melampaui jumlah prosentase tersebut. (3) Silikon pada umumnya ditemui dalam bentuk oksida dan silikat. Kebanyakan oksida silikon sebagai pasir, kristal padat, barn api dan barn opal. Sedangkan silikat silikon tampak sebagai granit, asbes, tanah liat dan mika. Silikon dan paduannya mempunyai peranan penting dalam kehidupan tumbuhan dan hewan. SiO2 diambil dari tanah oleh tanaman digunakan untuk pembentukan dinding sel. SiO2 juga ditemukan dalam tulang dan abu tanaman. SiO2 adalah bahan utama kaca, dalam bentuk pasir dan tanah liat dapat digunakan untuk membuat barn barn dan beton. Prosiding Pertemuan don Presentasi l/miah 66 Buku/ P3TM-BATAN, Yogyakarta/4-/5Juli/999 -~-:- Salah satu penggunaan dari silikon yang sangat terkenal ialah dalam bidang teknologi semikonduktor dad mikroelektronik. Silikon murni tidak dapat menghantarkan arus listrik dengan baik, tetapi jika sejumlah kecil atom-atom asing ditambahkan pada silikon murni tersebut, maka paduan itu menjadi semikonduktor. Sifat kelistrikan silikon dapat dipengaruhi oleh penambahan atomatom asing, misalnya: konduktivitas silikon yang dikotori dapat bertambah besar dibandingkan dengan bahan dasarnya. Silikon berbeda dengan logam, pada silikon tahanan jenisnya turun dengan naiknya suhu. Implantasi Ion Implantasi ion adalah suatu metoda untuk Cs =~ion/cm2 n.e.a dengan: Cs = dosis ion dopan (ion/cm1 I = arus ion dopan (Ampere) t = waktu implantasi (detik) e = muatan elementer elektron (1,602xI0.19 coulomb) A = luas tingkap (cm1 Batas dosis boron ke dalam silikon menurut Mayer, dkk sekitar > 1016 ion/cm2 clan m_enurut Ryssel clan Ruge antara 2xlO16 sampai 8xlO16 ion/cm2. Konsentrasi Dopan Kedalaman penetrasi ion dopan akan menentukan besamya distribusi konsentrasi. Menurut Wolf (3) distribusi konsentrasi ion dopan terhadap kedalaman implantasi mengikuti distribusi Gauss. Distribusi konsentrasi ion dopan yang diimplantasi sebagai fungsi kedalaman pada permukaan mengikuti distribusi Gauss yaitu : N(x) = 2.Cs Mp.,fi;(i + erf.rp 1.J2.!J.Rp} dengan: N(x) = jumlah ion yang terimplantasi pacta kedalaman x dari permukaan (ion/cm3) Cs = jumlah total ion dopan / dosis dopan (ion/cm1, Rp dad ARp = jangkauan terproyeksi dan deviasi standart (cm). Penganilan (Annealing) Proses anil adalah proses perlakuan panas

3 Prosiding Pertemuan don Presentasi I/miah P3TM-BATAN, Yogyakarta Juti 1999 Buku 1 67 dimana bahan mengalami pemanasan yang agak lama disusul dengan pendinginan secara perlahanlahan. Bila dihubungkan dengan cacat yang terdapat pacta kristal, maka proses anil adalah perlakuan panas terhadap zat padat yang telah rusak dengan tujuan untuk memulihkan struktur kristal dan sifatsifat fisisnya. (5). Suhu yang biasa dipakai untuk penganilan bervariasi antara 450 C -1000oC dengan lama menit (Sansbury)(6), menurut Reka Rio dan Lida (2), suhu anil cukup baik antara 600 C-lOOO C. Sedangkan menurut Ryssel dan Ruge untuk implantasi boron ke dalam silikon dengan energi rendah (dibawah 100 key), suhu anil dipilih sekitar 650 C selama 30 menit. Resistivitas Resistivitas keping merupakan salah satu sifat kelistrikan yang akan diteliti. Pengukuran resistivitas yang sering digunakan adalah dengan metoda probe empat titik. Rumus untuk menghitung resistivitas menggunakan probe empat titik dengan faktor koreksi efek ge6metri adalah: p s = C (V / I) dengan: P. = resistivitas keping (Ohm / cm1 C = faktor koreksi geometri cuplikan yang bergantung pacta ketebalan lapisan (x), dimensi cuplikan danjarak antar probe V dan I = tegangan dan arus yang di ukur dengan probe empat titik. Kapasitansi Lapisan Deplesi Pacta masing-masing sambungan P-N hasil implantasi terdapat penumpukanmuatan negatip dan positip, sehingga dipandang dari sudut lain dapat dianggap sebagai kapasitor. Skema hubungan P-N dengan tegangan V D diberikan pacta ujung-ujungnya ditunjukkan pacta gambar I -Q = -qnadp Q = qnodn, i I I~ ~I Gambar. 1. Model yang menunjukkan daerah deplesi seperti komponen plat sejajar Dengan menganggap sebagai kapasitor plat sejajar dengan luas A, maka kapasitansi C adalah: c = 8 r.80-8 r.80.a dp+dn -d ( (..; I Dengan: Er = konstanta dielektrik bahan EO= konstanta dielektrik ruang hampa dan d=dp+dn Tegangan Dadal Tegangan dadal adalah besar tegangan reverse bias yang diberikan pada hubungan N-P sampai terjadi arus maksimum (arus dadal). Bila diberi tegangan melebihi besar tegangan dadal, maka bahan tersebut rusak. Dengan mengetahui tegangan dadal, maka bahan yang telah diimplantasi rusak, untuk itu tegangan yang dipakai tidak boleh melebihi tegangan dadalnya. TAT A KERJA DAN PERCOBAAN Alat Penelitian Peralatan yang digunakan dalam penelitian yang dilakukan adalah sbb: 1. Implantasion 100 kev/ 1 ma 2. Implantasi ion berfungsi sebagai alat untuk mendopingkan boron ke dalam keping silikon. 3. Probe empat titik.. Probe empat titik digunakan untuk mengukur nilai resistivitas keping silikon baik sebelum dad sesudah diimplantasi. Probe empat titik yang digunakan adalah model FPP-500 buatan Vecco yang beroperasi pada tegangan 220/240 Volt (AC)/50 Hz. 4. Jangka sorong. 5. Ultrasonic Cleaner. 6. LCR-Meter., LCR-Meter berfungsi untuk mengukur nilai kapasitansi dati masing-masing cuplikan. LCR-Meter yang digunakan adalah digital type 4271B, yang beroperasi pada tegangan 220 Volt. 7. Voltmeter dad Ampermeter Bahan Ada beberapa bahan yang digunakan dalam penelitian yang dilakukan sbb: 1. Keping silikon type N sebagai bahan yang diimplantasi. 2. Padatan boron nitrid sebagai bahan yang dicangkokkan. 3. Alkohol 90% untuk membersihkan sisa-sisa kotoran yang menempel pada silikon sebelum diimplantasi. 4. Lem silver dan kawat tembaga (sebagai kontak). CARA KERJA PERCOBAAN Preparasi Sam pel Mula-mula wafer silikon dipotong dengan luas perdlukaan tertentu. Potongan wafer silikon tersebut dibersihkan dengan alkohol dalam ISSN Elin Nuraini, dkk.

4 Prosiding Pertemuan don Presentasi //miah 68 Buku/ P3TM-BATAN, Yogyakarta/4-/5Ju/i/999 ultrasonic cleaner untuk menghilangkan lapisan SiO2 yang menempel. Tahap Implantasi * Keping silikon yang telah dibersihkan diletakkan dalam tempat target (target holder) dengan sudut miring 70 clan sudut putar 300untuk menghindari efek pengkanalan..proses Implantasi ion, dosis ion dopan divariasi antara (0.149 :t ) x 1016 ion/cm2 hingga (1.789:t ) x 1016 ion/cm2 dengan tara mengatur besarnya arus berkas ion dati sistem ion, masing-masing pada energi 40,80, clan 100 key. Tahap Penganilan Cuplilan yang telah diimplantasi kemudian dianil pada suhu 900 c dengan tujuan untuk memulihkan kembali susunan atom yang telah rusak akibat implantasi. Tahap Pengukuran Resistivitas keping Pengukuran resistivitas keping dati bahan yang diimplantasi clan telah melewati proses anil dilakukan dengan menggunakan probe empat titik type FPP Tahap Pengukuran Kapasitansi Lapisan Deplesi Setelah cuplikan dianil, diukur resistivitasnya clan diberi kontak (dengan kabel yang di lem dengan lem silver), kemudian diukur kapasitansinya dengan menggunakan LCR-Meter. Tahap Pengukuran Tegangan Dadal Tegangan diperoleh dengan karakteristik arus tegangan. Dari karakteristik ini diperoleh tegangan dadal untuk masing-masing cuplikan. Untuk setiap cuplikan hanya dapat satu kali dilakukan pengukuran tegangan dadalnya, sebab cuplikan yang telah diperoleh tegangan dadalnya akan rusak. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil implantasi boron pacta silikon adalah sambungan P-N. Hal ini dapat dijelaskan sebagai berikut, pacta saat ion-ion boron ditembakkan pacta keping silikon, maka ion-ion itu akan berekomendasi. Pembawa-pembawa (hole dan elektron) berdifusi ke daerah yang mempunyai konsentrasi rendah. Karena hole pacta boron lebih tinggi konsentrasinya daripada hole pacta silikon, maka hole-hole itu akan berdifusi dati boron ke silikon. Karena elektron pacta silikon lebih tinggi konsentrasinya dati pacta boron, maka elektronelektron itu akan berdifusi dati silikon ke boron. Hole yang meninggalkan boron hilang di dalam silikon karena berekombinasi. Sebuah akseptor akan diionisasikan menjadi negatif dalam boron yang bertipe P sehingga rnernbentuk rnuatan ruang negatif. Hal yang sarna juga terjadi pada elektron yang rneninggalkan daerah rnuatan ruang positif pada daerah tipe N (silikon). Peristiwa tersebut akan rnernbangkitkan rnedan listrik yang rnulai dati ruang berrnuatan positif dan berakhir pada ruang bermuatan negatif. Medan listrik ini rnengharnbat aliran hole dati boron ke silikon dan aliran elektron dati silikon ke boron. Akhirnya aliran pernbawa terhenti setelah terdapat keseirnbangan antara difusi dan hanyutan. Keadaan ini disebut keadaan setirnbang dad terbentuk lapisan deplesi (daerah kosong). Pada tabell terlihat bahwa hanya pada energi 100 key terjadi penurunan nilai harnbatan lapis dengan bertarnbahnya dosis, sedangkan pada energi 40 dan 80 KeV terjadi kenaikan harnbatan lapis. ]adi dapat dikatakan bahwa untuk energi yang lebih tinggi, nilai harnbatan lapisnya lebih kecil hila dibandingkan dengan yang berenergi rendah. Hal tersebut di atas dapat dijelaskan sebagai berikut : untuk dosis yang sarna, ion-ion yang berenergi besar akan rnasuk ke dalarn bahan lebih dalarn dati pada yang berenergi rendah, sehingga turnpang tindihnya kerusakan akibat dosis yang besar pada ion yang berenergi tinggi tidak sebesar yang berenergi rendah. Ion berenergi tinggi akan rnernpunyai ruang yang lebih besar di dalarn bahan, akibatnya untuk dosis yang sarna pada ion yang berenergi tinggi akan rnenyebabkan harnbatan lapis yang lebih kecil dibandingkan dengan yang dihasilkan oleh ion yang berenergi rendah. Prosentase penurunan harnbatan lapis terbesar terjadi pada energi 100 key dengan dosis ( 1.789:1:0.0007) x 1016 ion/crn2 yaitu sebesar 76.80%. Grafik hubungan antara konsentrasi dengan C/ A disaj ikan pada garnbar 2. Gambar 2. Pengaruh konsentrasi dopan terhadap kapasitansi persatuan luas CIA (E = 100 key) Elin Nuraini, dkk. ISSN

5 Prosiding Pertemuan dan Presentosi I/miah P3T!!!:!JAT1}!. Yogyakarta Ju/i /999 Buku I 69 Tabel Pada garnbar 2 diatas grafik yang diperoleh sesuai dengan teori yaitu nilai kapasitansi sernakin besar dengan bertarnbahnya dosis dopan. Untuk dosis yang sarna, ion yang berenergi tinggi akan rnasuk lebih dalarn daripada ion berenergi rendah, sehingga ion berenergi tinggi rnernpunyai daerah kosong (lapisan deplesi) lebih besar dan nilai kapasitansinya sernakin besar. Dari 15 sampel yang ada diarnbil satu sarnpel yang rnernpunyai tegangan dadal terbesar dari rnasing-rnasing energi. Terlihat bahwa grafik pada garnbar 3 telah rnernenuhi grafik hubungan V-I. Jadi irnplantasi tersebut benar-benar rnenghasilkan hubungan P-N. Dari 15 sarnpel yang diuji, tegangan dadal terbesar terjadi pada energi 40 kev dengan dosis (l.342:t0.0005) x 1016 ion/crn2 yaitu 22.9 Volt. Tegangan dadal terbesar pacta energi 80 dan 100 kev rnasing-rnasing adalah Volt dan Volt yaitu pada dosis (0.895:t0.0004) x 1016 ion/cm2 dad (1.789:tO.0007) X 1016 ion/cm2. Secara keseluruhan pada sampel yang diimplantasi, ion-ion dapat masuk ke dalam wafer silikon. Hal ini terbukti bahwa semua resistivitas setelah diimplantasi dad dianil lebih rendah dibandingkan sebelum diimplantasi. Sambungan P- N akan baik hila memiliki resistivitas rendah, kapasitansi per satuan luas besar, dan tegangan dadal besar. Hal ini sangat beralasan sebab hila sambungan P-N ini digunakan sebagai penyearah AC, dengan kriteria resistivitas kecil dad kapasitansi besar, maka sambungan tersebut tidak menyerap tegangan. Tegangan dadal yang cukup besar diperlukan untuk menjaga kerusakan sambungan P- N hila digunakan sebagai penyearah. Gambar 3. Grafik hubungan V-I untuk dosis 1.342xlO16, 1.789xlO16 dan O.895xlO16 ion/cm2

6 ~ KESIMPULAN Dari basil penelitian yang telah dilakukan dapat diambil beberapa kesimpulan : I. Dengan bertambahnya energi dan dosis, maka nilai resistivitasnya semakin turun dan kapasitansinya semakin naik. 2. Penurunan nilai resistivitas terbesar terjadi pacta energi 100 ke V dengan dosis (I. 789:t0.0007) X 1016 ion/cm2 yaitu sebesar 76.8%. 3. Nilai kapasitansi per satuan luas terbesar terjadi pacta energi 100 key dosis (1.789:t0.0007) x 1016 ion/cm2 yaitu (590.02:t14.071)pF.cm Tegangan dadal terbesar terjadi pacta energi 40 key dengan dosis (1.342:t0.0005) x 1016 ion/cm2 yaitu 22.9 Volt. DAFf AR PUST AKA 1. Ryssel and Ruge, Ingolf, "Ion Implantation", John Wiles & Sons, London, Reka Rio dan Lida, M," Fisika dan Teknologi Semikonduktor," Pradnya Paramita, Jakarta, Amir Supriyanto, Kusminarto dan Sudjatmoko., "Pengaruh Arus Ion Dopan terhadap sifat kelistrikan Semikonduktor". Prosiding PPI PPNY- BAT AN, Yogyakarta 4. Jiles,D., "Introduction to Electronic Properties of Material", Chapman & Hall, London. 5. Deamealy, G, Freman,T.H, Nelson, E.S and Stepen,J, "Ion Implantation", American Eisiver Pulishing Company Inc, New York, Sansbury, J., "Ion Implantion and Its Contribution to Device and Integral Circuit Tecnology", Varian SpA, Italy, 1978 TANYAJAWAB Subari Santoso.Mengapa penelitian dibidang peningkatan kemampuan dioda padahal dari segi ekonomi dioda adalah komponen elektronikyang murah.berapa tegangan dadal ideal yang diinginkan apa manfaat utamanya? Elin Nuraini * Dari segi ekonomi memang dioda merupakan komponen elektronik yang murah, akan tetapi tujuan dari penelitian komi di sini bukan membuat dioda yang nantinya dijual dipasaran, melainnkan untuk menguasai teknologi sambungan P-N * Tegangan dado! yang ideal yang diinginkan yaitu dalam orde ratusan volt. Sedangkan manfaat utamanya mengetahui tegangan dado! yang cukup besar yaitu untuk menjaga kerusakan sambungan P-N hila digunakan sebagai penyearah. Elizabeth * Pada percobaan ini, saudara melakukan variasi energi clan dosis ion untuk mendapatkan basil sambungan P-N yang baik. Apa clan bagaimana kriteria sambungan P-N yang baik Elin Nuraini * Kriteria sambungan P-N yang baik yaitu mempunyai tegangan dadal yang cukup besar, nilai resistivitasnya yang kecil don kapasitansi yang besar, sehingga sambungan tersebut tidak menyerap tegangan. Suyamto * Mengapa satuan hambatan (tabel 1) dalam Q- cm2 R= Q kalau p = Q m Elin Nuraini * Pada label J. Satuan unit untuk hambatan lapis tertulisn;cm2. Perlu kami jelaskan bahwa hambatan lapis/ resistivitas keping pada label J. Tersebut pengertiannya tidak sarna dengan tahanan yang satuannya.a. Hambatan lapis disini pengertiannya adalah resitivitas keping dengan rumusan P. =C.(V/I) n;cm2, C disini faktor koreksi geometri cuplikan yang tergantung ketebalan lapisan (x), dimensi cuplikan dan jarak antar probe. Dengan olaf probe empat titik nisbi resistivitas ado 2 macam yang terukur (ada 2 satuan), kalau terukur sheetnya satuannya P. = n;cm2, kalau yang diukur slicenya satuannya p =.Q..cm