Mekatronika Modul 3 Unijunction Transistor (UJT)

dokumen-dokumen yang mirip
1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

BAB II LANDASAN TEORI

Gambar 2.1. Rangkaian Komutasi Alami.

Mekatronika Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik)

Dioda-dioda jenis lain

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

Mekatronika Modul 2 Silicon Controlled Rectifier (SCR)

BAB IX. FET (Transistor Efek Medan) dan UJT (Uni Junction Transistor)

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )?

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

Elektronika Daya ALMTDRS 2014

KOMPONEN AKTIF TRANSISTOR THYRISTOR TRANDUCER

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom

NAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : INSTRUMENTASI DAN OTOMASI. Struktur Thyristor THYRISTOR

TRANSISTOR BIPOLAR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng. 1. IDE DASAR TRANSISTOR Gambaran ide dasar sebuah transistor dapat dilihat pada Gambar 1.

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

INSTRUMENTASI INDUSTRI (NEKA421) JOBSHEET 12 (OSILATOR COLPITTS)

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

TRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR)

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

Modul 05: Transistor

Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

LAPORAN PRAKTIKUM SISTEM TELEKOMUNIKASI ANALOG PERCOBAAN OSILATOR. Disusun Oleh : Kelompok 2 DWI EDDY SANTOSA NIM

BAB I SEMIKONDUKTOR DAYA

TEGANGAN PANJAR TRANSISTOR

Transistor Dwi Kutub. Laila Katriani.

SOLUSI PR-08 (Thyristor dan UJT)

DIODA SEBAGAI PENYEARAH (E.1) I. TUJUAN Mempelajari sifat dan penggunaan dioda sebagai penyearah arus.

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O

controlled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas

Daerah Operasi Transistor

Mekatronika Modul 8 Praktikum Komponen Elektronika

BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA

Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik)

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor

THYRISTOR. SCR, TRIAC dan DIAC. by aswan hamonangan

ANALISIS SISTEM KONTROL MOTOR DC SEBAGAI FUNGSI DAYA DAN TEGANGAN TERHADAP KALOR

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

EKSPERIMEN VIII PEMBANGKIT GELOMBANG (OSILATOR)

KOMPONEN DASAR ELEKTRONIKA. Prakarya X

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

BAB II LANDASAN SISTEM

BAB II Transistor Bipolar

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

RISA FARRID CHRISTIANTI, S.T.,M.T.

PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY )

BAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda.

Osiloskop (Gambar 1) merupakan alat ukur dimana bentuk gelombang sinyal listrik yang diukur akan tergambar pada layer tabung sinar katoda.

Modul 3 Modul 4 Modul 5

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

Karakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

Percobaan 10 MULTIVIBRATOR (ASTABIL, MONOSTABIL, DAN PICU-SCHMITT) Oleh : Sumarna, Jurdik Fisika, FMIPA, UNY

Bias dalam Transistor BJT

BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom

LAPORAN PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

RESISTOR, TRANSISTOR DAN KAPASITOR

TEORI DASAR. 2.1 Pengertian

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE

Olimpiade Sains Nasional 2009 Eksperimen Fisika Hal 1 dari 18. Olimpiade Sains Nasional Eksperimen Fisika Agustus 2009 Waktu 4 Jam

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN

SATUAN ACARA PERKULIAHAN

I. Penguat Emittor Ditanahkan. II. Tujuan

BAB II LANDASAN TEORI

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

RANGKAIAN OSILATOR. Rangkaian Osilator 221

RANGKAIAN INVERTER DC KE AC

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

RANGKAIAN-RANGKAIAN PRATEGANGAN TRANSISTOR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng

BAB II LANDASAN TEORI

Pertemuan 10 A. Tujuan 1. Standard Kompetensi: Mempersiapkan Pekerjaan Merangkai Komponen

BAB VF, Penguat Daya BAB VF PENGUAT DAYA

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA

Modul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015

BAB V MULTIVIBRATOR. A. Pendahuluan. 1. Deskripsi

SIMBOL DAN STRUKTUR DIODA

PENGUAT DAYA KELAS A

Jenis-jenis Komponen Elektronika, Fungsi dan Simbolnya

Gambar 11. susunan dan symbol dioda. Sebagai contoh pemassangan dioda pada suatu rangkaian sebagai berikut: Gambar 12. Cara Pemasangan Dioda

Pengertian Transistor fungsi, jenis, dan karakteristik

MATERI IV DIODA : PENGERTIAN DAN KARAKTERISTIK

BAB III PERANCANGAN ALAT

BAB IV HASIL KERJA PRAKTEK. perlu lagi menekan saklar untuk menyalakan lampu, sensor cahaya akan bernilai 1

Pendahuluan. 1. Timer (IC NE 555)

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Multimeter. NAMA : Mulki Anaz Aliza NIM : Kelas : C2=2014. Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas. Lompat ke: navigasi, cari

MENGUKUR TRANSISTOR. melalui pengukuran tahanannya. 3) Mampu menentukan kaki Basis, Kolektor, dan Emiter dari sebuah transistor.

BABV INSTRUMEN PENGUAT

PRAKTIKUM INSTRUMENTASI SENSOR CAHAYA (ALARM CAHAYA) Oleh :

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage

BAB III PERAGAAN Topik 1. Rangkaian Pemicu SCR dengan Menggunakan Rangkaian RC (Penyearah Setengah Gelombang dan Penyearah Gelombang penuh).

PERANCANGAN PEMUTUS ALIRAN LISTRIK OTOMATIS BERBASIS MIKROKONTROLER ATMEGA8535 TUGAS AKHIR FAHRI MAHYUZAR

Transkripsi:

Mekatronika Modul 3 Unijunction Transistor (UJT) Hasil Pembelajaran : Mahasiswa dapat memahami dan menjelaskan karakteristik dari Unijunction Transistor (UJT) Tujuan Bagian ini memberikan informasi mengenai karakteristik dan penerapan Unijunction Transistor (UJT) 3.1 Pendahuluan Unijunction Transistor (UJT) adalah piranti elektronik yang tidak mempunyai elektroda kolektor sebagaimana transistor bipolar ataupun dioda rectifier, dan sebagai penggantinya ditambahkan sebuah elektoda basis sehingga piranti ini mempunyai dua basis dan sebuah emitter.

3.2 Unijunction Transistor (UJT) UJT atau transistor sambungan tunggal adalah suatu komponen aktif yang banyak digunakan untuk menghasilakan isyarat pulsa. Pulsa ini digunakan untuk kontrol pada instrumentasi. Susunan UJT ditunjukkan pada gambar berikut : (a) (b) (c) Gambar 3.1. UJT (a) Struktur UJT (b) angkaian setara (c) Lambang UJT Pada gambar 3.19 (b) hambatan dan b2 adalah hambatan setara di dalam UJT. Hambatan dinyatakan variable oleh karena nilainya berubah dengan arus emitor I E. Karakteristik UJT dapat diuji dengan menggunakan rangkaian pada gambar 3.2.

(a) Gambar 3-2 : (a) angkaian untuk menguji UJT (b) angkaian setara (b) Jika dioda D ada dalam keadaaan tegangan mundur, arus I E 0 dan hambatan mempunyai nilai maksimum. Hambatan menyatakan nilai maksimum ini. Hambatan basis adalah + b2 dan dinyatakan sebagai BB. Parameter UJT yang sering digunakan orang adalh yang disebut nisbah hambatan basis intrinsic (intrinsic stand-off ratio), yaitu : BB b 2 Jika arus emitor I E = 0, maka : B ' B '. BB b 2 b 2 BB

Pada keadaan ini tegangan pada emitor : EO B ' + 0,6 = η BB + 0,6 Dengan mengatur posisi pengusap pada pengusap pada potensiometer tegangan E dapat diubah. Jika E > EO, dioda D mendapat tegangan maju. Akibatnya emitor akan memancarkan lubang ke dalam basis. Lubang ini ditolak oleh basis B 2 yang mempunyai potensial positif, dan lubang akan terdorong masuk ke basis B 1. Oleh karena jumlah muatan bebas dalam basis B 1 bertambah maka konduktivitas akan naik, atau hambatan akan turun sedemikian rupa sehingga dengan kenaikan arus emitor I E tegangan emitor E akan turun. Daerah nilai I E ini yang tegangannya E turun jika arus I E naik disebut daerah hambatan negatif. Selanjutnya kenaikan arus emitor I E dengan E akan bertambah sedikit. Daerah nilai arus ini disebut daerah penjenuhan. Ciri UJT biasanya dinyatakan oleh grafik antara BE dan I E seperti pada gambar 3-3 (a). EB ( sat ) 3 (a) Gambar 3-3. (a) UJT (b) (b) Ciri UJT dilukiskan dengan sumbu tegak menyatakan arus I E

Jika sumbu I E kita pasangkan vertikal lengkung, ciri UJT ini tampak mirip dengan lengkung ciri dioda dengan keadaan tegangan maju. Arus I P disebut arus puncak dan menyatakan arus emitor yang diperlukan untuk membuat agar UJT berkonduksi. Arus I disebut arus lembah, yang menyatakan akhir daripada daerah hambatan negatif. Hambatan b, untuk daerah saturasi sekitar 50 ohm. angkaian untuk osilator relaksasi menggunakan UJT ditunjukkan pada gambar 3-4. Pada mulanya kapasitor C T diisi muatan melalui T. Setelah E melebihi EO = B1 + η B2B1 + 0.6 Maka UJT akan berkonduksi. Hambatan EB menjadi amat kecil sehingga arus akan mengalir dari BB. Akibatnya pada titik B1 dan B2 akan terjadi denyut seperti pada gambar 3-4. Pada kapasitor akan terjadi Isyarat berupa gigi gergaji eksponensial oleh karena pengisian dan pengosongan kapasitor. Gambar 3-4. Osilator relaksasi dengan UJT Jika kita menginginkan isyarat berupa gigi gergaji linier, kapasitor C T kita isi muatan dengan menggunakan sumber arus tetap, seperti ditunjukkan pada gambar 3-5.

Gambar 3-5. Cara untuk memperoleh isyarat keluaran linier UJT banyak digunakan untuk mengatur SC dan TIAC, yaitu komponen semikonduktor yang berfungsi seperti tiration dengan menggunkan pulsa yang dihasilkan oleh basis pada UJT.

3.3 Latihan Soal 1. Gambarkan kurva karakteristik antara tegangan dan arus pada percobaan UJT? 2. Berapa nilai tegangan E dan nilai arus I E pada saat UJT dalam keadaan On? 3. Berapa nilai tegangan E dan nilai arus I E pada saat UJT dalam keadaan Off?