PERCOBAAN 2 JFET SELF BIAS

dokumen-dokumen yang mirip
PERCOBAAN 1 KURVA TRANSFER KARAKTERISTIK JFET

PERCOBAAN 3 RANGKAIAN PENGUAT COMMON SOURCE

PERCOBAAN 9 RANGKAIAN COMPARATOR OP-AMP

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER

PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL

I D. Gambar 1. Karakteristik Dioda

PERCOBAAN 10 RANGKAIAN DIFFERENSIATOR DAN INTEGRATOR OP-AMP

PERCOBAAN 7 RANGKAIAN PENGUAT RESPONSE FREKUENSI RENDAH

PRAKTIKUM 2. Rangkaian Seri dan Paralel. Politeknik Elektronika Negeri Surabaya ITS Modul Praktikum Program Studi Teknik Komputer

JFET. Transistor Efek Medan Persambungan

RANGKAIAN KONVERTER ZERO & Semester 3

GERBANG UNIVERSAL. I. Tujuan : I.1 Merangkai NAND Gate sebagai Universal Gate I.2 Membuktikan table kebenaran

Percobaan 4 (versi A) Karakteristik dan Penguat FET Revisi 24 Maret 2014

Q POWER ELECTRONIC LABORATORY EVERYTHING UNDER SWITCHED

Elektronika Analog. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

BAB IX. FET (Transistor Efek Medan) dan UJT (Uni Junction Transistor)

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA. Oleh: Achmad Fiqhi Ibadillah

KEGIATAN BELAJAR 3 B. DASAR TEORI 1. MOSFET

PERCOBAAN 3 RANGKAIAN PENGUAT COMMON DRAIN (SOURCE FOLLOWER)

Politeknik Negeri Bandung

TUJUAN ALAT DAN BAHAN

Transistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET)

MODUL 03 RANGKAIAN DIODA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

Elektronika Analog. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Bias dalam Transistor BJT

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA ALAT

Modul Elektronika 2017

PERCOBAAN 3 RANGKAIAN OP AMP

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

BAB IV HASIL PENGUJIAN DAN PEMBAHASAN

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

BAB I 1. BAB I PENDAHULUAN

FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA LAB SHEET INSTRUMENTASI

1. Kompetensi : Menjelaskan karakteristik dan aplikasi penguat instrumentasi

- 1 - FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA LAB SHEET PRAKTIK ELEKTRONIKA ANALOG I

BAB III RANCANGAN SMPS JENIS PUSH PULL. Pada bab ini dijelaskan tentang perancangan power supply switching push pull

BAB IV HASIL PENGUJIAN DAN ANALISA. Pada bab ini akan dibahas hasil pengujian dan analisa dari system buck chopper

MODUL 08 OPERATIONAL AMPLIFIER

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA

Mekatronika Modul 8 Praktikum Komponen Elektronika

Workshop Instrumentasi Industri Page 1

1. TEGANGAN KERJA DAN LOGIKA

Jobsheet Praktikum FLIP-FLOP J-K

TRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR)

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

POKOK BAHASAN HUKUM OHM UNTUK KELAS X 4 KELAS PRAKTIKUM VIRTUAL LEMBAR KERJA SISWA

1. Kompetensi : Menjelaskan karakteristik converter tegangan ke arus

Bab 4. Metoda Analisis Rangkaian. oleh : M. Ramdhani

BAB III METODOLOGI PENELITIAN

Laporan Praktikum. Gerbang Logika Dasar. Mata Kuliah Teknik Digital. Dosen pengampu : Pipit Utami

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

Praktikum Rangkaian Elektronika MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA

TRANSFORMATOR DAN PENYEARAHAN GELOMBANG LISTRIK

BAB 4 ANALISIS DAN BAHASAN

LAPORAN PRAKTIKUM INSTRUMENTASI RANGKAIAN PENGUAT JEMBATAN Dosen Pengampu: Bekti Wulandari M.Pd

ALAT UKUR & PENGUKURAN

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

MODUL I TEGANGAN KERJA DAN LOGIKA

LAPORAN PRAKTIKUM SISTEM KENDALI. Kontrol Putaran Motor DC. Dosen Pembimbing Ahmad Fahmi

FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA BAGIAN I

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

D I C. I d Arus Kontrol. Tegangan Kontrol

SISTEM BENDUNGAN OTOMATIS MENGGUNAKAN INTERFACING

Breadboard Breadboard digunakan untuk membuat dan menguji rangkaian-rangkaian elektronik secara cepat, sebelum finalisasi desain rangkaian dilakukan.

MODUL I Karakterisasi Divais Semiconduktor dengan Semiconductor Parameter Analyzer HP 4145B

BAB IV PENGUJIAN ALAT DAN ANALISA

Pengukuran dan Alat Ukur. Rudi Susanto

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA RANGKAIAN

PERCOBAAN 8 RANGKAIAN INVERTING DAN NON INVERTING OP-AMP

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

PRAKTIKUM KONVERTER AC DC THYRISTOR

PRAKTIKAN : NIM.. PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA

Praktikum Rangkaian Elektronika MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA

Lampiran 5 POKOK BAHASAN HUKUM OHM UNTUK KELAS X 5 KELAS PRAKTIKUM REAL LEMBAR KERJA SISWA

LAPORAN PRAKTIKUM DIGITAL

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS ISLAM KADIRI KEDIRI

KOMPONEN-KOMPONEN ELEKTRONIKA

ELEKTRONIKA DASAR. Pertemuan Ke-3 Aplikasi Dioda Dalam Sirkuit. ALFITH, S.Pd,M.Pd

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

SIMBOL DAN STRUKTUR DIODA

BAB IV ANALISA DAN PENGUJIAN ALAT

Modul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015

Jobsheet Praktikum FLIP-FLOP S-R

RANGKAIAN INVERTER DC KE AC

BAB III PERANCANGAN DAN PEMBUATAN ALAT Flow Chart Perancangan dan Pembuatan Alat. Mulai. Tinjauan pustaka

Dioda-dioda jenis lain

Jobsheet Praktikum FLIP-FLOP D

Gambar Rangkaian seri dengan 2 buah resistor

Jobsheet Praktikum DECODER

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

Politeknik Elektronika Negeri Surabaya ITS Kampus ITS Sukolilo Surabaya

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

PENGUAT OPERASIONAL. ❶ Karakteristik dan Pemodelan. ❷ Operasi pada Daerah Linear. ❸ Operasi pada Daerah NonLinear

RANGKAIAN PENYEARAH GELOMBANG (RECTIFIER) OLEH: SRI SUPATMI,S.KOM

Transkripsi:

PERCOBAAN 2 JFET ELF BIA 12.1 Tujuan : Tujuan dari percobaan ini adalah verifikasi tegangan dan arus pada rangkaian JFET dengan menggunakan self bias. Yaitu membuktikan kesesuaian tegangan dan arus pada rangkaian self bias dari JFET dengan perencanaan sebelumnya, untuk menentukan titik kerja rangkaian (Q). 12.2 asar Teori : Tujuan dari rangkaian biasing adalah untuk memilih tegangan gatesource yang sesuai, guna menghasilkan nilai arus drain yang diinginkan, sehingga sesuai dengan titik kerjanya. 12.2.1 elf Bias Rangkaian self bias untuk JFET ditunjukan pada gambar 12.1. Untuk n-channel JFET pada gambar 12.1(a), arus I dihasilkan oleh tegangan drop pada R dan membuat kaki source positip terhadap ground. Karena I = I dan G = 0, maka = I R. edangkan tegangan gate-source adalah : G G 0 I R atau G I R (12.1) (a) n-channel JFET (b) p-channel JFET Gambar 12.1 : Rangkaian elf Bias dari JFET 8

Untuk p-channel JFET pada gambar 12.1(b), arus yang melalui R dihasilkan oleh tegangan negatip pada kaki source, sehingga G I R (12.2) ari uraian diatas, pada dasarnya analisa dari n_channel dan p-channel adalah sama, bedanya hanya polaritas tegangannya berlawanan. Tegangan drain terhadap ground dapat ditentukan sebagai berikut : I R (12.3) Karena = I R, maka tegangan drain-souce adalah : I R R ) (12.4) ( 12.2.2 etting titik Q pada Rangkaian elf Bias asar pendekatan untuk menghasilkan suatu titik bias JFET adalah menentukan I untuk suatu nilai G yang diinginkan atau sebaliknya. Langkah selanjutnya adalah menghitung nilai R yang diperlukan dengan menggunakan persamaan 12.1, yaitu : G R (12.5) I Untuk suatu nilai dari G, I dapat ditentukan dengan dua cara, yaitu dengan kurva transfer karakteristik atau dengan persamaan hokley, yang menggunakan besaran I dan G (off) dari data sheet JFET 12.2.3 Analisa Grafis dari Rangkaian elf Bias JFET Kita dapat menggunakan kurva transfer karakteristik dari JFET tertentu (gambar 12.3), untuk menentukan titik kerja (Q) rangkaian self bias. Untuk menentukan titik Q dari rangkaian self bias pada gambar 12.2 dapat dilakukan dengan langkah-langkah sebagai berikut. Pertama, kita buat terlebih dahulu garis beban pada kurva transfer karakteristik JFET, dengan persamaan G = -I R. - Titik pertama : untuk I = 0, maka G = 0 - Titik kedua : untuk I = I = 10 ma, maka G = -4,7 olt 9

ari kedua titik tersebut kita tarik garis, sehingga memotong kurva transfer karakteristik JFET. Titik potong inilah yang merupakan titik kerja rangkaian (Q), seperti yang diperlihatkan pada gambar 12.4. Gambar 12.2 : Contoh Rangkaian elf Bias dari JFET Gambar 12.3 : Kurva transfer karakteristik dari rangkaian gambar 12.2. Gambar 12.4 : Titik kerja dari rangkaian gambar 12.2 secara grafis 10

12.3 Peralatan yang digunakan : 1) Modul praktikum, breadboard dan komponennya 2) Mili-Ammeter dc 3) oltmeter dc 4) dc power supply 12.4 Rangkaian Percobaan : Gambar 12.5 : Rangkaian penyearahan gelombang penuh metoda bridge 12.5 Prosedur Percobaan dan Tugas : 1) Rangkaikan seperti pada gambar 12.5 yang bersesuaian dengan modul praktikum atau dengan menggunakan breadboard. 2) engan menggunakan voltmeter dc, ukurlah besarnya tegangan pada R, kemudian dengan menggunakan hukum Ohm hitunglah arus drain pada titik kerja rangkaian (IQ) dan catatlah hasilnya pada tabel 12.1. 3) engan menggunakan nilai gm0 dan I yang didapat dari percobaan sebelumnya (percobaan 1), hitunglah arus drain pada titik kerja rangkaian (IQ) dengan persamaan dibawah ini, dan catatlah hasilnya pada tabel 12.1, sebagai nilai yang diharapkan. I ( R g m0 1) (2R ( g g R 2I 2 m0 ) m0 1) 1/ 2 11

4) Bandingkan nilai IQ yang didapat dari langkah (2) dan (3), kemudian hitunglah errornya dan tuliskan pada tabel 12.1. Usahakan error yang terjadi tidak lebih dari 10 %. 5) engan menggunakan voltmeter, ukurlah tegangan pada titik kerja rangkaian secara individual, yaitu gate (G), source (), drain (), dan drain-source (). Catatlah nilai-nilai yang didapat dari hasil pengukuran pada tabel 12.1. 6) Hitunglah dengan menggunakan persamaan yang ada (secara teori), tegangan pada titik kerja rangkaian, yaitu G,,, dan. Kemudian catatlah hasilnya pada tabel 12.1, sebagai nilai yang diharapkan. 7) Bandingkan nilai yang didapat dari pengukuran (langkah 5) dan nilai yang didapat dari perhitungan (langkah 6), kemudian hitunglah error yang terjadi, dan tuliskan pada tabel 12.1. Usahakan error yang terjadi tidak lebih dari 10 %. 8) engan menggunakan voltmeter ukurlah tegangan gate-source (G) dan tuliskan pada tabel 12.1. Bagaimana jika dibandingkan hasilnya dengan G yang didapat dari langkah (6), yaitu G = G. 9) ari nilai I dan G (off) yang didapat dari percobaan sebelumnya, dan dengan menggunakan persamaan dibawah ini, hitunglah tegangan gate-source G dan catatlah hasilnya pada tabel 12.1, sebagai nilai yang diharapkan I 1 G G( off ) 10) Masih dengan persamaan diatas dan nilai I dan G (off) yang didapat dari percobaan sebelumnya, gambarkan kurva transfer karakteristik. Kemudian letakkan titik kerja rangkaian yang didapat dari hasil pengukuran pada kurva yang telah dibuat. Tabel 12.1 : ata pengukuran tegangan input, output dan barier 2 Parameter Pengukuran Hasil Perhitungan Error (%) I G G 12

13