SATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP)

Transkripsi

1 SATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP) Nama Mata Kuliah : Elektronika Kode Mata Kuliah : TI 009 Bobot Kredit : 2 SKS Semester Penempatan : IV Kedudukan Mata Kuliah : Mata Kuliah Keilmuan dan Keterampilan Mata Kuliah Prasyarat : Penanggung Jawab Mata Kuliah : Ihfan Hairiawan, ST Pertemuan / Minggu PokokBahasan / Tujuan Instruksional Umum (TIU) Sub PokokBahasan dan Sasaran Belajar / Tujuan Instruksional Khusus (TIK) Tehnik Pembelajaran Media Pembelajaran Evaluasi Referensi 1 Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor TIU : MahasiswamengenalJe nisjeniskomponenelektron ika, komponenpasifdankom ponenaktif. Mahasiswa mengerti konsep elektron bebas, elektron tidak bebas Pengelompokan bahanbahan elektrik dari sifatsifat listriknya. Pengertian resistivitas dan nilai resistivitas bahan listrik : konduktor, isolator dan semikonduktor Komponenkomponen elektronika: komponen pasif ( resistor, kapasitor dan induktor ) dan komponen aktif ( dioda, transistor bipolar dan transistor unipoler ) Konsep elektron bebas dan tidak bebas. Pembawa arus listrik pada resistor, electron bebas. Pembawa arus listrik pada bahan semikonduktor: electron bebas dan hole. Free test

2 dan hole serta sifatsifatnya TIK : Mahasiswa dapat mengenal komponen elektronika,komponen semi konduktor : dioda, transistor bipolar dan unipolar serta contoh aplikasi sebagai amplifier, saklarelektronik, suplay tegangan dc, dlsb.. 2 DiodaSemikonduktordanRa ngkaiannya TIU : Mahasiswamemahamic arabekerja diode MahasiswaMengetahui danmemahamipemanfa atan diode dalamrangkaianelektro nika Semi konduktor tipe P dantipe N, pembawa mayoritas Dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan PN, daerah deplesi Pengaruh pemberian bias pada daerah deplesi, builtin voltage dan kapasitansi Pengertian breakdown voltage pada diode Dioda ideal dan diode semikonduktor dari bahan Silikon dan Germanium Simbolelektrik, karakteristikarustegangan dioda. Pengertian bias maju dan bias mundur, Tegangan breakdown: avalanche danzener Analisa garis beban pada rangkaian sederhana Rangkaian pengganti diode dengan pendekatan: (a) piecewise linear, (b) simplifed equivalent, (c) ideal equivalent circuit Analisa konfigurasi seri dan pararel diode dalam rangkaian Rangkaian gerbang logika dengan menggunakan dioda Penyearah setengah gelombang dengan input sinusoidal, nilai tegangan dc Penyearah gelombang penuh Kapasitor untuk mengurangi ripple Clipper Clampper Karakteristik diodazener Stabilisasi tegangan dc dengan dioda zener Kelompok Dis

3 Desain rangkaian dengan diodazener TIK : 3 Transistor Bipolar (BJT) Bentuk fisik transistor NPN dan PNP Injeksi mayoritas dari emiter, lebar daerah base, rekomendasi holeelektron, efisiensi emitter persamaan arus tegangan pada transistor dengan kurva arus tegangan karakteristik transistor dengan kurva arus tegangan factor penguatan arus dan tegangan konfigurasi common emitter, common base dan common collector daerah operas: aktif, cutoff dan saturasi dan aplikasinya tegangantegangan pada padadioda B/E dan dioda B/C, dan hubunganaruscollector dan arus base pada ketigadaerahoperasi jenisjenis pemberian pra tegangan: biastetap, emiter bias, voltagedivder, dc bias dengan feedback tegangan, prategangan yang lain analis agaris beban untuk menentukan titik kerja efek perubahan temperatur terhadap parameter transistor menentukan stabilitas transistor untuk berbagai konfigurasi prategangan Rangkaian gerbang logika dengan menggunakan transistor 4 Unijunction Transistor Bentuk fisik mosfet terbentuknya kanal pada mosfet kanaln hubungan arus tegangan pada mosfet analisa dc, daerah operasi mosfet: cutoff, triode dan saturasi Kelompokdis Kelompokdis Lembarkerja infocus 5 Model hybridπ rangkaian ekuivalen transistor untuk sinyal

4 sinyal kecil model hibridπ dari transistor bipolar dan komponenkomponennya Kelompokdis base spredingresistansce, r bb transconductance, g m input resistance, r π output resistance r o dantegangan early kapasitansi B/E, B/C, C/E impedansi input, impedansi output, penguatantegangan, dan penguatanarus analisauntukdaerahfrequensirendah, menegah dan tinggi: efek kapasitor dari masingmasing daerah frequensi rangkaian equivalen mosfet untuk sinyalsinyal kecil dengan model hibridπ 6 RangkaianPenguat Transistor 7 RangkaianPenguat Transistor Bertingkat TIK : Rangkaian penguat trasnsistor dalam bentuk ekuivalennya Perhitungan impedansi input, impedansi output, penguatan arus, penguatan tegangan dari rangkaian penguat transistor. Rangkaian penguat trasnsistor bertingkat dalam bentuk ekuivalennya Perhitungan impedansi input, impedansi output, penguatan arus, penguatan tegangan dari rangkaian penguat transistor untuk tiap tingkatan. Perhitungan impedansi input, impedansi output, penguatan arus, penguatan tegangan dari rangkaian penguat transistor untuk seluruh tingkatan (total). Kelompokdis Kelompokdis 8 Penguat dengan Umpan Balik UJIAN TENGAH SEMESTER Konsepumpanbalik (feedback) Umpanbalikpositif Kelompokdis

5 Umpanbalik negative Umpan balik seri dan parallel antara tegangan dan arus Analisa Perhitungan impedansi input, impedansi output, penguatan arus, penguatan tegangan dari rangkaian penguat transistor yang menggunakan konfigurasi umpan balik. 9 PenguatDiferensial Dasarpenguatdiferensial Common Mode Rejection Ratio SumberArus (Current Source) 10 PenguatOperasional (Op Amp) 11 RangkaianDasarPenguatOp erasional 12 AplikasiOperasional Amplifier Penguatdiferensialdengangandengan emitter Rangkaianpenyusun Opamp Karakteristik ideal dari opamp Perhitungan parameter opamp : Open loop differential voltage gain Differential input impedance Input voltage offset Input bias current Common mode rejection ratio Slew rate Inverting amplifier Non inverting amplifier Adder Subtractor Different amplifier Voltage follower comparator Active Filter (Butterworth Response) Analog to Digital Converter Digital to Analog Converter 13 FET SumberArus (Current Source) Analisa Perhitungan Bentukfisikmosfet Terbentuknya kanal pada FET Hubunganarusteganganpada FET Analisa dc, daerahoperasifet: cutoff, Kelompok dis Lembarkerja Lembarkerja Kelompokdis Kelompokdis Lembarkerja, 3, 3, 3

6 triodadansaturasi 14 JFET Analisa Perhitungan BentukfisikJFET HubunganarusteganganpadaJFET 15 MOSFET DasarMOSFET Bentukfisikmosfet Terbentuknya kanal pada mosfet kanaln Hubunganarusteganganpadamosfet Analisa dc, daerahoperasimosfet: cutoff, triodadansaturasi 16 MOSFET Lanjutan Bentukfisikmosfet Terbentuknya kanal pada mosfet kanaln Hubunganarusteganganpadamosfet analisa dc, daerahoperasimosfet: cutoff, triodadansaturasi UJIAN AKHIR SEMESTER Kelompokdis Kelompokdis Lembarkerja, 3, 3, 3 Referensi : 1. Boylestad,Nashelsky, PrinsipPrinsipElektronikEdisike 2 (Dua), PenerbitErlangga 2. Millman and Halkias, Integrated Electronics, 3.Sutrisno, DasarElektronikaEdisike 2(Dua), Penerbit ITB