Proses Pembuatan Processor Ilustrasi

dokumen-dokumen yang mirip
Wafer Fabrication a) Cleaning b) Oxidation

Struktur dan Prinsip Kerja Transistor Metal Oxide Semiconductor (MOS)

BAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan

BAB I PENDAHULUAN. terjadinya perubahan metalurgi yaitu pada struktur mikro, sehingga. ketahanan terhadap laju korosi dari hasil pengelasan tersebut.

BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN

Gambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)

BAB II ALUMINIUM DAN PADUANNYA

BAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini

HASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)

struktur dua dimensi kristal Silikon

BAB I PENDAHULUAN. logam menjadi satu akibat adanya energi panas. Teknologi pengelasan. selain digunakan untuk memproduksi suatu alat, pengelasan

NAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : INSTRUMENTASI DAN OTOMASI. Struktur Thyristor THYRISTOR

Semikonduktor. Prinsip Dasar. oleh aswan hamonangan

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang

BAB I DASAR-DASAR KELISTRIKAN

2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER

BAB 1 PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Universitas Sumatera Utara

BAB I PENDAHULUAN. Universitas Sumatera Utara

Prediksi Perkembangan Proccesor

ELEKTROKIMIA DAN KOROSI (Continued) Ramadoni Syahputra

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

UNIVERSITAS GUNADARMA FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI

ALAT ANALISA. Pendahuluan. Alat Analisa di Bidang Kimia

jendela ini didispersikan dalam bahan polimer sehingga teknologinya disebut Polymer Dispersed Liquid Crystal (PDLC). Saat kristal cair mendapat

BAB I PEDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang. Pipa merupakan salah satu kebutuhan yang di gunakan untuk

BAB I PENDAHULUAN. di bidang industri mekanik dan elektronik untuk membuat produk dengan

25/03/2010 Sejarah komputer Oleh JK 1

BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI

Perkembangan Mikroprosesor

BAB III ANALISIS MASALAH DAN RANCANGAN PROGRAM

BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah

Gambar 6. Teknologi PV module saat ini Cell Kristal terbuat dari bahan ultra-silicon seperti yang banyak digunakan pada chip semiconductor. Teknologi

BAB II TINJAUAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI

PENGANTAR APLIKASI KOMPUTER

Semikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator

SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber

TIN-302 Elektronika Industri

PRODI D3 TEKNIK KIMIA FAKULTAS TEKNIK INDUSTRI UPN VETERAN YOGYAKARTA

Karakterisasi XRD. Pengukuran

JENIS - JENIS ROM (READ ONLY MEMORY)

Multimeter. NAMA : Mulki Anaz Aliza NIM : Kelas : C2=2014. Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas. Lompat ke: navigasi, cari

I. PENDAHULUAN. Teknologi pelapisan logam dewasa ini banyak dikembangkan, kebutuhan

PENGARUH LAJU KOROSI PELAT BAJA LUNAK PADA LINGKUNGAN AIR LAUT TERHADAP PERUBAHAN BERAT.

PERKEMBANGAN SEL SURYA

SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH TEKNIK PENGECORAN KODE / SKS : KK / 2 SKS. Sub Pokok Bahasan dan Sasaran Belajar

BAB I GAMBARAN UMUM. Gambar 1. Peralatan elektronik (Electronic Device)

Dengan cara pemakaian yang benar, Anda akan mendapatkan manfaat yang maksimal selama bertahun-tahun.

Apa itu Mikrokomputer?

METALURGI SERBUK (POWDER METALLURGY) Metalurgi Serbuk : Teknologi pemrosesan logam dimana part-part diproduksi dari serbuk metal.

Mata Kuliah Arsitektur Komputer Program Studi Sistem Informasi 2013/2014 STMIK Dumai -- Materi 04 --

BAB II LANDASAN TEORI

I. PENDAHULUAN. oleh H.K Onnes pada tahun 1911 dengan mendinginkan merkuri (Hg) menggunakan helium cair pada temperatur 4,2 K (Darminto dkk, 1999).

I. PENDAHULUAN. Aluminium digunakan secara luas, karena mempunyai sifat sifat seperti

ATMOSFER & PENCEMARAN UDARA

BAB III METODOLOGI PENELITIAN

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang

BAB IV DATA HASIL PENELITIAN

BAB IV IMPLEMENTASI DAN PENGUJIAN

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

EVOLUSI DAN PERKEMBANGAN KINERJA KOMPUTER

AKUMULATOR. Penyusun : TIM FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA

Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang

(1) DVD Writer. Petunjuk Pengoperasian DVDirect Express VRD-P Sony Corporation

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN UMUM

Momentum, Vol. 13, No. 2, Oktober 2017, Hal ISSN

MAKALAH PELATIHAN PROSES LAS BUSUR NYALA LISTRIK (SMAW)

Integrated Circuit (IC)

BAB VI RANGKAIAN & PENGUKURAN

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang. Proses akhir logam (metal finishing) merupakan bidang yang sangat luas,

PEMANFAATAN SUPLEMEN VITAMIN C SEBAGAI INHIBITOR KOROSI PADA BAJA API 5L GRADE B DALAM MEDIA 3.5% NaCl DAN 0.1 M HCl

Bahan Listrik. Sifat Listrik Bahan

PCB type single side PCB type Double side PCB type Multilayer

KOMPONEN AKTIF. Resume Praktikum Rangkaian Elektronika

12/18/2015 ENERGI BARU TERBARUKAN ENERGI BARU TERBARUKAN ENERGI BARU TERBARUKAN

BAB II LANDASAN TEORI

Yudy Surya Irawan. Material Baru

BAB II TINJAUAN PUSTAKA. (C), serta unsur-unsur lain, seperti : Mn, Si, Ni, Cr, V dan lain sebagainya yang

Pengertian Hardware dan Pengenalan Jenisnya

SUSUNAN ATOM DALAM. 1. Irfa Hambali 2. Rezki Al Khairi. 4. Junedi Ramdoner 5. Priselort D. 7. Venti Nuryati

prosesor berarsitektur "Core 2" dengan 4 inti

Gambar 11. susunan dan symbol dioda. Sebagai contoh pemassangan dioda pada suatu rangkaian sebagai berikut: Gambar 12. Cara Pemasangan Dioda

2 SINTESA MATERIAL SEMIKONDUKTOR BERBASIS BAHAN FERROELEKTRIK FILM Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 (BST) Pendahuluan

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. penelitian eksperimental nyata (true experimental research). Dalam hal ini

I. COATING DAN PROSES PELAPISAN. Gambar.1.1. Skema Elektroplating

LCD gimana sih kerjanya

BAB IV ANALISIS DAN PEMBAHASAN

DIODA. Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto

SMP kelas 7 - KIMIA BAB 1. MATERI Latihan Soal Tokoh yang menemukan bahwa massa zat sebelum dan sesudah reaksi adalah sama adalah...

BAB III METODOLOGI PELAKSANAAN

Diode) Blastica PAR LED. Par. tetapi bisa. hingga 3W per. jalan, tataa. High. dan White. Jauh lebih. kuat. Red. White. Blue. Yellow. Green.

MOTOR DRIVER. Gambar 1 Bagian-bagian Robot

Pertemuan 10 A. Tujuan 1. Standard Kompetensi: Mempersiapkan Pekerjaan Merangkai Komponen

Jenis Processor Android

8 pin DIP 14 pin DIP

IV. HASIL DAN PEMBAHASAN

aluminium dari kebanyakan bahan itu masih belum ekonomis.

Transkripsi:

Proses Pembuatan Processor Ilustrasi Ini adalah ilustrasi bagaimana chip dibuat. Artikel dan gambar-gambar di bawah ini mendemonstrasikan tahap-tahap proses bagaimana memproduksi sebuah CPU (central processing unit), yang digunakan di setiap PC di dunia saat ini. Anda akan melihat sekilas beberapa pekerjaan yang luar biasa ini dilakukan tiap hari di pabriknya di Intel. 1. Sand (Pasir) Pasir - terutama Quartz - memiliki persentase tinggi dari Silicon dalam pembentukan Silicon dioksida (SiO2) dan nerupakan bahan dasar untuk produksi semikonduktor. Pasir - sekitar 25% masa Silicon yang merupakan senyawa kedua terbanyak - setelah oksigen - di muka bumi 2. Silikon Cair Silikon dimurnikan dalam tahap berlapis untuk akhirnya nencapai kualitas produksi yang disebut Electronic Grade Silicon (EGS). EGS mungkin hanya mengandung sebuah atom asing setiap satu triliun atom Silikonnya. Pada gambar di bawah ini Anda bisa lihat bagaimana sebuah kristal besar tumbuh dari silikon cair yang dimurnikan. Hasilnya adalah kristal tunggal yang disebut Ingot. 1

Silikon cair - skala: level wafer (~300mm / 12 inch) 3. Kristal Silikon Tunggal - Ingot Sebuah ingot dibuat dari Electronic Grade Silicon. Sebuah ingot memiliki berat sekitar 100 kilogram (220 pound) dan memiliki kemurnian Silicon 99.9999%. 2

Mono-crystal Silicon Ingot -- scale: wafer level (~300mm / 12 inch) 4. Pengirisan Ingot Ingot kemudian diiris menjadi disc-disc silikon individual yang disebut wafer. 3

Ingot Slicing -- scale: wafer level (~300mm / 12 inch) 5. Wafer Wafer-wafer ini dipoles sedemikian rupa hingga tanpa cacat, dengan permukaan selembut kaca cermin. Intel membeli wafer-wafer siap produksi itu dari perusahaan pihak ketiga. Process rumit 45nm High-K/Metal Gate oleh Intel menggunakan wafer dengan diameter 200 milimeter. Saat Intel mulai membuat chip-chip, perusahaan ini mencetak sirkuit-sirkuit di atas wafer 50 milimeter. Dan untuk saat ini menggunakan wafer 300mm, yang menghasilkan penghematan biaya per-chip. 4

Wafer -- scale: wafer level (~300mm / 12 inch) 6. Mengaplikasikan Photo Resist Cairan (warna biru) yang di tuangkan di atas wafer saat diputar adalah sebuah proses dari photo resist yang sama seperti yang kita kenal di film untuk fotografi. Wafer diputar selama tahap ini untuk membuatnya sangat tipis dan bahkan mengaplikasikan layer photo resist. 5

pplying Photo Resist -- scale: wafer level (~300mm / 12 inch) A 7. Exposure Hasil dari photo resist diekspos ke sinar ultraviolet (UV. Reaksi kimianya ditrigger oleh tahap pada proses tersebut, sama dengan apa yang terjadi pada material film pada sebuah kamera saat Anda menekan tombol shutter. Hasil dari photo resist yang diekspos ke sinar UV akan bersifat dapat larut. Exposure diselesaikan menggunakan mask yang berfungsi seperti stensil dalam tahap proses ini. Saat digunakan dengan cahaya UV, mask membentuk pola-pola sirkuit yang bervariasi di atas tiap layer dari mikroprosesor. Sebuah lensa (di tengah) mengurangi image dari mask. Sehingga yang dicetak di atas wafer biasanya adalah empat kali lebih kecil secara linier daripada pola-pola dari mask. 6

Exposure -- scale: wafer level (~300mm / 12 inch) 8. Exposure Meskipun biasanya ratusan mikroprosesor bisa dihasilkan dari sebuah wafer tunggal, cerita bergambar ini hanya akan fokus pada sebuah bagian kecil dari sebuah mikroprosesor, yaitu pada sebuah transistor atau bagian-bagiannya. Sebuah transistor berfungsi seperti sebuah switch, mengendalikan aliran arus listrik dalam sebuah chip komputer. Peneliti-peneliti di Intel telah mengembangkan transistor-transistor yang sangat kecil sehingga sekitar 30 juta transistor dapat diletakkan pas di kepala sebuah peniti. 7

Exposure -- scale: transistor level (~50-200nm) 9. Membersihkan Photo Resist Photo resist yang lengket dilarutkan sempurna oleh suatu pelarut. Proses ini meninggalkan sebuah pola dari photo resist yang dibuat oleh mask. 8

Washing off of Photo Resist -- scale: transistor level (~50-200nm) 10. Etching (Menggores) Photo resist melindungi material yang seharusnya tidak boleh tergores. Material yang ditinggalkan akan digores (disketch) dengan bahan kimia. Etching -- scale: transistor level (~50-200nm) 11. Menghapus Photo Resist 9

Setelah proses Etching, photo resist dihilangkan dan bentuk yang diharapkan menjadi terlihat. Removing Photo Resist -- scale: transistor level (~50-200nm) 12. Mengaplikasikan Photo Resist Terdapat photo resist (warna biru) diaplikasikan di sini, diekspos dan photo resist yang terekspos dibersihkan sebelum tahap berikutnya. Photo resist akan melindungi material yang seharusnya tidak tertanam ion-ion. 10

Applying Photo Resist -- scale: transistor level (~50-200nm) 13. Penanaman Ion Melalui seuatu proses yang dinamakan "ion implantation" (satu bentuk proses yang disebut doping), area-area wafer silikon yang diekspos dibombardir dengan "kotoran" kimia bervariasi yang disebut Ion-ion. Ion-ion ini ditanam dalam wafer silikon untuk mengubah silikon pada area ini dalam memperlakukan listrik. Ion-ion ditembakkan di atas permukaan wafer pada kecepatan tinggi. Suatu bidang listrik mempercepat ion-ion ini hingga kecepatan 300.000 km/jam. 11

Ion Implantation -- scale: transistor level (~50-200nm) 14. Menghilangkan Photo Resist Setelah penanaman ion, photo resist dihilangkan dan material yang seharusnya di-doped (warna hijau) memiliki atom-atom asing yang sudah tertanam (perhatikan sekilas variasi warnanya). 12

Removing Photo Resist -- scale: transistor level (~50-200nm) 15. Transistor yang Sudah Siap Transistor ini sudah dekat pada proses akhirnya. Tiga lubang telah dibentuk (etching) di dalam layer insulasi (warna magenta) di atas transistor. Tiga lubang ini akan terisi dengan tembaga yang akan menghubungkannya ke transistor-transistor lainnya. Ready Transistor -- scale: transistor level (~50-200nm) 13

16. Electroplating Wafer-wafer diletakkan ke sebuah solusi sulfat tembaga di tahap ini. Ion-ion tembaga ditanamkan di atas transistor melalui proses yang disebut electroplating. Ion-ion tembaga bergerak dari terminal positif (anoda) menuju terminal negatif (katoda) yang dipresentasikan oleh wafer. Electroplating -- scale: transistor level (~50-200nm) 17. Tahap Setelah Electroplating Pada permukaan wafer, ion-ion tembaga membentuk menjadi suatu lapisan tipis tembaga. 14

After Electroplating -- scale: transistor level (~50-200nm) 18. Pemolesan Material ekses dari proses sebelumnya di hilangkan Polishing -- scale: transistor level (~50-200nm) 15

19. Lapisan Logam Lapisan-lapisan metal dibentuk untuk interkoneksi (seperti kabel-kabel) di antara transistortransistor. Bagaimana koneksi-koneksi itu tersambungkan ditentukan oleh tim desain dan arsitektur yang mengembangkan funsionalitas prosesor tertentu (misal Intel Core i7 Processor). Sementara chip-chip komputer terlihat sangat flat, sesungguhnya didalamnya memiliki lebih dari 20 lapisan yang membentuk sirkuit yang kompleks. Jika Anda melihat pada pembesaran suatu chip, Anda akan menemukan jaringan yang ruwet dari baris-baris sirkuit dan transistor-transistor yang mirip sistem jalan raya berlapis di masa depan Metal Layers -- scale: transistor level (six transistors combined ~500nm) 20. Testing Wafer Bagian dari sebuah wafer yang sudah jadi ini diambil untuk dilakukan test fungsionalitasnya. Pada tahap test ini, pola-pola di masukkan ke dalam tiap chip dan respon dari chip tersebut dimonitor dan dibandingkan dengan daftar yang sudah ditetapkan. 16

Wafer Sort Test -- scale: die level (~10mm / ~0.5 inch) 21. Pengirisan Wafer Wafer di iris-iris menjadi bagian-bagian yang disebut Die. Wafer Slicing -- scale: wafer level (~300mm / 12 inch) 17

22. Memisahkan Die yang Gagal Befungsi Die-die yang saat test pola merespon dengan benar akan diambil untuk tahap berikutnya. Discarding faulty Dies -- scale: wafer level (~300mm / 12 inch) 23. Individual Die Ini adalah die tunggal yang telah jadi pada tahap sebelumnya (pengirisan). Die yang terlihat di sini adalah die dari sebuah prosesor Intel Core i7. 18

Individual Die -- scale: die level (~10mm / ~0.5 inch) 24. Packaging Bagian dasar, die, dan heatspreader digabungkan menjadi sebuah prosesor yang lengkap. Bagian dasar berwarna hijau membentuk interface elektris dan mekanis bagi prosesor untuk berinteraksi dengan sistem komputer (PC). Heatspreader berwarna silver berfungsi sebagai pendingin (cooler) untuk menjaga suhu optimal bagi prosesor. 19

Packaging -- scale: package level (~20mm / ~1 inch) 25. Prosessor Inilah prosesor yang sudah jadi (Intel Core i7 Processor). Sebuah mikroprosesor adalah suatu produk paling kompleks yang pernah dibuat di muka bumi. Faktanya, dibutuhkan ratusan langkah - hanya bagian-bagian paling penting saja yang ditampilkan pada artikel ini - yang dikerjakan di suatu lingkungan kerja terbersih di dunia, sebuah lab mikroprosesor. Processor -- scale: package level (~20mm / ~1 inch) 26. Class Testing Selama test terakhir ini, prosesor-prosesor akan ditest untuk key karakteristik mereka (diantaranya test pemakaian daya dan frekuensi maksimumnya) 20

Class Testing -- scale: package level (~20mm / ~1 inch) 27. Binning Berdasarkan hasil test dari class testing, prosesor dengan kapabilitas yang sama di kumpulkan pada transporting trays yang sama pula. 21

Binning -- scale: package level (~20mm / ~1 inch) 28. Retail Package Prosesor-prosesor yang telah siap dan lolos test akhirnya masuk jalur pemasaran dalam satu kemasan box. 22

Retail Package -- scale: package level (~20mm / ~1 inch) 23