Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
|
|
- Leony Hermanto
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio 1,4), Mikrajuddin Abdullah 1), Maman Budiman 1), Pepen Arifin 1), Sukirno 1) dan Moehamad Barmawi 1) 1) Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Teknologi Bandung, Bandung 2) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,Universitas Jember, Jember 3) Pusat Penelitian Elektronika dan Telekomunikasi, Lembaga Ilmu Pengetahuan Indonesia, Bandung 4) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Diponegoro, Semarang supriyanto_e2003@yahoo.com Diterima 7 Februari 2007, disetujui untuk dipublikasikan 13 April 2007 Abstrak Film tipis TiO 2 :Eu telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Si(100) tipe-n dengan metode Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium(iv)isopropoksida [Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4 ] 99,99% dan europium nitrat [Eu(NO 3 ) 3.6H 2 O] 99.99%. Tetrahidrofuran (THF) digunakan sebagai pelarut bahan prekursor. Hasil analisis X-ray Diffraction ( XRD) menunjukkan bahwa film tipis yang ditumbuhkan pada 450 ο C memiliki bidang kristal rutil (200), rutil (002) dan anatase (211). Film yang ditumbuhkan pada temperatur 500 ο C memiliki bidang kristal fasa tunggal rutil (002) dengan bentuk butiran kolumnar dan morfologi permukaan film relatif halus, sedangkan pada temperatur penumbuhan 550 ο C dihasilkan film dengan bidang kristal rutil (200) dan rutil (002). Morfologi permukaan film tipis TiO 2 :Eu dipengaruhi oleh besarnya kandungan atom Eu. Bertambahnya kandungan Eu akan menghasilkan morfologi permukaan film yang kasar dan butiran film menjadi lebih besar. Dapat disimpulkan bahwa struktur kristal dan morfologi permukaan film dipengaruhi oleh temperatur penumbuhan. Kata kunci: Butiran, Struktur kristal dan morfologi TiO 2 :Eu, MOCVD Abstract Thin film of TiO 2 :Eu had been grown on an n-type Si(100) substrate using Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method with titanium (IV) isopropoxide [Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4 ] 99.99% and europium nitrate [Eu(NO 3 ) 3.6H 2 O] 99.99% as the metal organic precursors. The tetrahydrofuran (THF) was used as a solvent for the precursor. X-ray Diffraction (XRD) analysis showed that the TiO 2 :Eu thin film grown at temperature of 450 ο C had crystal planes of rutile (200), rutile (002) and anatase (211), whereas film grown at 500 ο C resulted in a crystal plane of rutile (002) with columnar grain and surface morphology relatively smooth. On the other hand, film grown at temperature of 550 ο C has rutile (200) and rutile (002) planes. The surface morphology of thin films TiO 2 :Eu was affected by Eu atom concentration. The roughness of surface morphology increased with increasing Eu content and therefore the grains became larger. It can be concluded that the crystal structure and surface morphology properties of the films depended significantly on the substrate temperature. Keywords: Grain, Crystal structure and morphology of TiO 2 :Eu, MOCVD 1. Pendahuluan Penumbuhan RE pada fluoride glasses, oksida, fosfor metal organic complexes dan dalam berbagai Sifat luminesens elemen rare-earth (RE) material semikonduktor telah dilaporkan (Palominodengan host pada beberapa matriks kristal seperti Merino et al., 2001). Dari penelitian tersebut diperoleh semikonduktor dan insulator oksida mempunyai informasi bahwa tidak semua film yang dihasilkan potensi yang besar untuk diaplikasikan pada piranti mempunyai sifat mekanik yang baik, kestabilan termal diagnosa dalam bidang kedokteran, penyimpan optik dan sifat anti korosi. Oleh karena itu, perlu usaha dengan kapasitas besar, piranti optoelektronika dan flat mencari matriks induk film tipis baru untuk panel display (Palomino-Merino et al., 2001). Sinyal menumbuhkan RE. Untuk mencapai tujuan tersebut, luminesens yang berupa garis-garis spektrum dipilih TiO memberikan informasi tentang struktur elektronik dari 2 sebagai material induk karena bahan ini merupakan material oksida yang mempunyai sifat tidak RE dan tidak bergantung pada matriks host. korosif dan memiliki resistansi mekanik yang baik. Metode yang telah dilakukan untuk menumbuhkan film 69
2 70 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, JUNI 2007, VOL. 12 NO. 2 tipis TiO 2 :Eu seperti sol-gel (Palomino-Merino et al., 2001; Conde-Gallardo et al., 2003; Zeng et al., 2006; Zhang et al., 2003) dan solvothermal synthetic (Yi et al., 2006). Penelitian mengenai penumbuhan RE sebagai film tipis, yang merupakan suatu format penting untuk dapat diterapkan pada teknologi seperti divais light emitting dan flat panel display device, masih sangat sedikit. Untuk menjawab permasalahan tersebut, telah dilakukan penelitian terhadap proses penumbuhan film tipis TiO 2 :Eu dengan metode Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). Metode MOCVD merupakan salah satu metode penumbuhan yang berpotensi tinggi dalam bidang teknologi pembuatan film tipis (Jones and O Brien, 1997). Pengontrolan terhadap aliran bahan yang diuapkan sebagai bahan prekursor yang selanjutnya akan tumbuh membentuk film tipis, dapat dilakukan dengan mudah dan akurat sehingga stoikiometri film dapat dikendalikan dengan baik. Film yang terbentuk memiliki homogenitas yang tinggi. Temperatur penumbuhan yang digunakan relatif rendah dan film dapat ditumbuhkan dengan ukuran yang luas dengan tingkat homogenitas yang tinggi (Ohring, 2002; Saragih dkk., 2006). Dalam makalah ini akan dilaporkan hasil studi pengaruh temperatur penumbuhan terhadap struktur kristal dan morfologi film tipis TiO 2 :Eu yang ditumbuhkan dengan metode MOCVD. 2. Metode Film tipis TiO 2 :Eu ditumbuhkan di atas substrat silikon (Si) dengan menggunakan sistem reaktor MOCVD. Sebelum digunakan, substrat Si(100) tipe-n dicuci dengan menggunakan aseton selama 5 menit, kemudian dengan metanol selama 5 menit dan diakhiri dengan 10% HF dalam de-ionized water selama 2 menit untuk menghilangkan lapisan alami SiO 2 dari permukaan substrat dan selanjutnya dikeringkan dengan gas N 2 (tingkat kemurnian 99,99%). Substrat kemudian ditempelkan pada permukaan suceptor (pelat pemanas) di dalam ruang penumbuhan. Prekursor metalorganik yang digunakan adalah titanium(iv)isopropoksida [Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4 ] 99,99% berbentuk cair pada temperatur ruang dengan titik leleh 20 ο C (Sigma) dan europium nitrat [Eu(NO 3 ) 3.6H 2 O] masing-masing dengan tingkat kemurnian 99.99%. [Eu(NO 3 ) 3.6H 2 O] (Kanto chemical Japan) berbentuk kristal tak berwarna dengan titik leleh 85 ο C. Bahan ini dilarutkan ke dalam pelarut tetrahidrofuran (THF) dengan konsentrasi 0,1 M. Larutan yang diperoleh dan [Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4 ] dicampur dengan perbandingan 1:4 dan selanjutnya dimasukkan ke dalam bubbler yang telah terhubung dengan suatu sistem perpipaan ke ruang deposisi. Bahan prekursor yang telah dimasukkan dalam bubbler, kemudian diuapkan memakai plat pemanas sesuai dengan titik uap bahan. Uap bahan prekursor dialirkan ke ruang deposisi untuk menghujani permukaan substrat dengan menggunakan gas argon (Ar) sebagai gas pembawa. Tekanan uap pada bubbler dikendalikan memakai suatu katub pengendali. Bersamaan dengan proses pemanasan bubbler, ruang deposisi divakumkan sampai tekanan 2x10-3 Torr dan substrat yang terletak di dalamnya dipanaskan. Parameter penumbuhan ditampilkan pada Tabel 1. Tabel 1. Parameter penumbuhan film tipis TiO 2 :Eu (condenal) Parameter Penumbuhan Temperatur substrat (T s ) Temperatur bubbler (T bl ) Tekanan uap bahan campuran (P b ) Laju aliran gas Ar Tekanan total penumbuhan (P T ) Lama penumbuhan ο C 60 ο C 206 Torr 100 sccm 2x10-3 Torr 2 jam Struktur kristal butiran ditentukan dari hasil uji X-ray Diffraction (XRD) dengan menggunakan radiasi Cu K α (λ=1,54056å) (Philips PW3710). Ketebalan dan modus penumbuhan film tipis dianalisis dari hasil potret Scanning Electron Microscope (SEM) (Jeol JSM 6360LA). 3. Hasil dan Diskusi Gambar 1 menunjukkan pola XRD dan citra SEM penampang lintang film tipis TiO 2 :Eu yang ditumbuhkan pada temperatur 450 ο C. Film tumbuh membentuk bidang polikristal rutile (002), anatase (211), rutile (200) dan memiliki ketebalan sekitar 0.8 µm. Film tersusun dari sekumpulan butiran yang bentuknya tidak homogen sepanjang ketebalan film. Orientasi random butiran kecil ditemukan pada permukaan substrat, sementara bagian film yang jauh dari permukaan substrat secara random disusun oleh butiran-butiran yang berbentuk kerucut (Gambar 1.b). Hal ini sesuai dengan hasil pola XRD-nya di mana butiran memiliki orientasi penumbuhan polikristal.
3 Supriyanto dkk, Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal 71 Gambar 1. Pola XRD dan citra SEM penampang lintang film tipis TiO 2 :Eu yang ditumbuhkan pada temperatur 450 ο C. Gambar 2 menunjukkan pola XRD dan citra SEM penampang lintang film tipis TiO 2 :Eu yang ditumbuhkan pada temperatur 500 ο C. Film tumbuh membentuk bidang kristal fase tunggal rutile (002) yang memiliki ketebalan sekitar 0.4 µm. Film yang terdiri dari butiran kolumnar memiliki batas antar butir yang sangat jelas dengan bentuk yang relatif seragam dan rapat sehingga menghasilkan permukaan film yang relatif rata. Hal ini sesuai dengan hasil pola XRD di mana butiran memiliki orientasi penumbuhan yang sama, yaitu membentuk bidang rutile (002) dengan intensitas latar belakang yang relatif lebih rendah. Hal ini menunjukkan bahwa atom-atom yang terdapat pada batas antar butir telah memposisikan diri sesuai dengan susunan atom butiran induknya. Kehadiran atom pengotor di dalam film dengan baik dapat dihindari. Hal ini ditunjukkan secara tidak langsung oleh bentuk butiran yang kolumnar dari permukaaan substrat sampai permukaan film. Penambahan temperatur penumbuhan ke 550 ο C menghasilkan bidang rutile (002) dan rutile (200) dengan ketebalan sekitar 0,1 µm (Gambar 3). Butiran penyusun film memiliki bentuk kolumnar, namun batas butir belum terlihat dengan jelas, yang secara tidak langsung menyatakan bahwa hubungan antar butir belum terbentuk dengan baik. Hal ini dapat dikonfirmasi dari hasil intensitas latar belakang difraksi Gambar 2. Pola XRD dan citra SEM penampang lintang film tipis TiO 2 :Eu yang ditumbuhkan pada temperatur 500 ο C. sinar-x (Gambar 3.a) yang menunjukkan bahwa masih ada fase amorf dalam film yang terbentuk pada batas antar butir. 1 µm Gambar 3. Pola XRD dan citra SEM penampang lintang film tipis TiO 2 :Eu yang ditumbuhkan pada temperatur 550 ο C.
4 72 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, JUNI 2007, VOL. 12 NO. 2 Gambar 4 menunjukkan citra SEM permukaan film tipis TiO 2 :Eu yang ditumbuhkan pada temperatur 450 ο C, 500 ο C, dan 550 ο C. Dari hasil karakterisasi EDS, persentasi kandungan Eu pada setiap film masing-masing 0.08% pada film tipis pada Gambar 4a, 0,03% pada Ganbar 4b, dan 0,01% pada tipe film seperti pada Gambar 4c. Ukuran rata-rata butiran setiap film berbeda. Film yang ditumbuhkan pada temperatur 450 ο C mempunyai tingkat kekasaran yang lebih tinggi, sementara film yang ditumbuhkan pada temperatur 550 ο C mempunyai struktur yang lebih halus dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada temperatur 450 ο C dan 500 ο C. Tingkat kekasaran suatu permukaan film dapat dipengaruhi oleh 4 faktor, yaitu (1) besarnya ketidaksesuaian panjang parameter kisi antara film dan substrat; (2) tingkat pengotor di dalam film; (3) tingkat kehomogenan distribusi titik-titik nukleasi di permukaan substrat dan (4) tinggi rendahnya temperatur penumbuhan. Dari keempat faktor tersebut, yang paling berpengaruh terhadap variasi kekasaran permukaan film tipis TiO 2 :Eu adalah tingkat kandungan bahan Eu dalam membentuk stoikiometri TiO 2 :Eu akibat perbedaan temperatur penumbuhan (Gambar 4). Dalam hal ini atom-atom Eu dipandang sebagai pengotor pada bahan TiO 2. (c) Gambar 4. Citra SEM permukaan film tipis TiO 2 :Eu yang ditumbuhkan pada temperatur 450 ο C, 500 ο C dan (c) 550 ο C. Untuk memastikan bahwa Eu sudah masuk dalam matrik TiO 2 diperlukan metode karakterisasi lain seperti metode photoluminescence. 4. Kesimpulan Film tipis TiO 2 :Eu telah ditumbuhkan di atas substrat Si(100) dengan menggunakan metode MOCVD. Pada temperatur substrat 500 ο C, temperatur bubbler 50 ο C, tekanan uap bahan prekursor 206 Torr, laju aliran gas Ar 100 sccm dan tekanan total penumbuhan 2x10-3 Torr diperoleh film tipis dengan bidang kristal fase tunggal rutile (002) dan morfologi permukaan film relatif halus dengan ukuran butiran dalam orde nanometer. Kondisi ini merupakan parameter optimum penumbuhan film tipis TiO 2 :Eu. Film yang diperoleh pada penelitian ini memiliki ketebalan yang sangat homogen untuk ukuran substrat 3x3 cm 2. Bahan prekursor europium nitrat dilarutkan dalam THF yang belum pernah dilakukan oleh peneliti sebelumnya. Daftar Pustaka Conde-Gallardo, A., M. Garcı a-rocha, R. Palomino- Merino, M. P. Velásquez-Quesada, and I. Hernández-Calderón, 2003, Photoluminescence Properties of Tb +3 and Eu +3 Ions Hosted in TiO 2 Matrix, Appl. Surf. Sci., 212:213, Jones, A. C. and P. O Brien, 1997, CVD of Compound Semiconductors: Precursors Synthesis, Development and Applications, VCH Verlagsgesellschaft mbh, Germany. Ohring, M., 2002, Materials Science of Thin Films: Deposition and Structure, 2 nd ed., Academic Press, London. Palomino-Merino, R., A. Conde-Gallardo, M. Garcıa- Rocha, I. Hernandez-Calderon, V. Castano, and R. Rodrıguez, 2001, Photoluminescence of TiO 2 : Eu +3 Thin Films Obtained by Sol Gel on Si and Corning Glass Substrates, Thin Solid Films, 401, Saragih H., E. Supriyanto, P. Arifin, dan M. Barmawi, 2006, Studi Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 dengan Teknik MOCVD Menggunakan Prekursor Titanium(IV)Isopropoxide dan Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5- heptanedionato) Cobalt (III), Proceedings ITB Sains &Teknologi, 38A:2, Yi, S.S, J. S. Bae, B. K. Moon, J. H. Jeong, and J. H. Kim, 2006, Highly Enhanced Luminescence
5 Supriyanto dkk, Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal 73 of Nanocrystalline TiO 2 :Eu 3+ Phosphors, Optical Material, 28, Zeng, Q. G., Z. J. Ding, and Z. M. Zhang, 2006, Synthesis, Structure and Optical Properties of Eu 3+ /TiO 2 Nanocrystals at Room Temperature, J. Luminescence, 118, Zhang, Y., H. Zhang, Y. Xu, and Y. Wang, 2003, Europium Doped Nanocrystalline Titanium Dioxide: Preparation, Phase Transformation and Photocatalytic Properties, J. Mater. Chem., 13,
Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio
Lebih terperinciDiterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasikan September 2004
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 9 No. 3, September 2004, hal 263-268 Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 Dengan Metode MOCVD Horasdia Saragih 1,3), Mersi Kurniati 2), Akhiruddin Maddu 2), Pepen Arifin
Lebih terperinciAnisotropi Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 10 No. 4, Desember 2005, hal 107-111 Anisotropi Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD Abstrak Horasdia Saragih 1,2), Pepen Arifin 1) dan Mohamad
Lebih terperinciPROC. ITB Sains & Tek. Vol. 38 A, No. 2, 2006,
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 38 A, No. 2, 2006, 117-131 117 Studi Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 dengan Teknik MOCVD Menggunakan Prekursor Titanium (IV) Isopropoxide dan Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,
Lebih terperinciPENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2
ISSN 1412 3762 http://jurnal.upi.edu/electrans ELECTRANS, VOL.12, NO.1, MARET 2013, 9-14 PENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2 Aip Saripudin, Tjetje Gunawan, Yuda Muladi
Lebih terperinciABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING
ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING Rancang Bangun Sensor Gas CO Berbasis Zinc Oxide Nanokristal Tahun ke-1 dari rencana 2 tahun Oleh: Dr. Edy Supriyanto, S.Si., M.Si(Ketua
Lebih terperinciStudi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 2, 2005, 101-114 101 Studi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD
Lebih terperinciMagnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co
Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Edy Supriyanto, Horasdia Saragih, Maman Budiman, Pepen Arifin, Sukirno dan M. Barmawi Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik Fakultas Matematika
Lebih terperinciMolekul, Vol. 5, No. 1, Mei 2010 : KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM
KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM Bilalodin dan Mukhtar Effendi Program Studi Fisika, Jurusan MIPA Fakultas Sains dan Teknik UNSOED Email: bilalodin.unsoed@gmail.com ABSTRACT Niobium (Nb) doped
Lebih terperinciKARAKTERISTIK MORFOLOGI DAN OPTIK FILM TIPIS TiO 2 :Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRAT SILIKON
PKMI-3-5-1 KARAKTERISTIK MORFOLOGI DAN OPTIK FILM TIPIS TiO 2 :Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRAT SILIKON Iing Mustain Jurusan pendidikan Fisika, Universitas Pendidikan Indonesia,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciDeskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)
1 Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) Bidang Teknik Invensi Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon
Lebih terperinciMagnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co
Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Edy Supriyanto 1,2), Agus Subagio 1,3), Hery Sutanto 1,3), Horasdia Saragih 1), Maman Budiman 1), Pepen Arifin 1), Sukirno 1) dan Moehamad Barmawi
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Telah berkembang suatu mekanisme fotokatalis yang menerapkan pemanfaatan radiasi ultraviolet dan bahan semikonduktor sebagai fotokatalis, umumnya menggunakan bahan TiO2
Lebih terperinciSYNTHESIS THIN LAYER ZnO-TiO 2 PHOTOCATALYSTS SOL GEL METHOD USING THE PEG (Polyethylene Glycol) AS SOLVENTS SCIENTIFIC ARTICLE
SYNTHESIS THIN LAYER ZnO-TiO 2 PHOTOCATALYSTS SOL GEL METHOD USING THE PEG (Polyethylene Glycol) AS SOLVENTS SCIENTIFIC ARTICLE By NIM 061810301027 DEPARTEMENT OF CHEMISTRY THE FACULTY OF MATHEMATIC AND
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciEfek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO 2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD
Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO 2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD Aip Saripudin* Program Studi Teknik Elektro FPTK, Universitas Pendidikan Indonesia Email: asaripudin1604@gmail.com
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pengembangan material yang memiliki ketahanan terhadap temperatur tinggi merupakan salah satu topik menarik yang terus dikaji oleh peneliti. Contoh aplikasi penggunaan
Lebih terperinciBAB IV HASIL PENELITIAN DAN ANALISIS
BAB IV HASIL PENELITIAN DAN ANALISIS Reaksi kimia yang terjadi selama perubahan dari larutan prekursor menjadi gel memiliki pengaruh yang berarti terhadap struktur dan homogenitas kimia dari gel. Permasalahan
Lebih terperinciTEMA: ENERGI TERBARUKAN. FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN TEKNOLOGI THICK FILM
Bidang Ilmu Teknologi RINGKASAN LAPORAN TAHAP I HIBAH KOMPETITIF PENELITIAN SESUAI PRIORITAS NASIONAL TEMA: ENERGI TERBARUKAN FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Studi tentang Pengaruh...(Wida Afosma)385 STUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM STUDY ABOUT THE EFFECT OF SPACER TO CRYSTAL
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciOleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FERROMAGNETIK GaN:Mn MENGGUNAKAN METODE PLASMA ASSISTED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PA- MOCVD) DAN KARAKTERISASINYA Oleh Budi Mulyanti NIM : 30201015 Tim
Lebih terperinciSTRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS
STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS SKRIPSI Oleh : Ahsanal Holikin NIM 041810201063 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciMEKANISME PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY GaAs 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TMGa, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD ABSTRAK
MEKANISME PENUMBUAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY As 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TM, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD A. Suhandi 1,2), P. Arifin 2), M. Budiman 2), dan M. Barmawi 2) 1) Jurusan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik,
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik, menghasilkan berbagai penemuan baru khususnya dalam bidang elektronika. Salah satu teknologi yang
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciBAB IV RANCANGAN PENELITIAN SPRAY DRYING DAN SPRAY PYROLYSIS. Rancangan penelitian ini dibagi menjadi tiga tahapan utama :
BAB IV RANCANGAN PENELITIAN SPRAY DRYING DAN SPRAY PYROLYSIS Rancangan penelitian ini dibagi menjadi tiga tahapan utama : a. Uji kerja pemanas, pada penelitiaan ini akan dilihat kemampuan pemanas dan konsistensi
Lebih terperinciElektrodeposisi Lapisan Kromium dicampur TiO 2 untuk Aplikasi Lapisan Self Cleaning
Jurnal Fisika Unand Vol. 5, No. 4, Oktober 2016 ISSN 2302-8491 Elektrodeposisi Lapisan Kromium dicampur TiO 2 untuk Aplikasi Lapisan Self Cleaning Ardi Riski Saputra*, Dahyunir Dahlan Jurusan Fisika FMIPA
Lebih terperinciEfek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT)
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12 No.4, Oktober 2001 Efek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT) Ngurah Ayu Ketut Umiati 1,2, Irzaman 1,3, Maman Budiman 1 dan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir
Lebih terperinciBerkala Fisika ISSN : Vol 4, No. 2, April 2001, hal 40-44
PENGARUH VARIASI TEMPERATUR PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GaN DI ATAS Si (111) DENGAN METODE PA-MOCVD Heri Sutanto Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, FMIPA Universitas
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinci1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING
1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING SEDERHANA UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR (Studi eksplorasi untuk pengembangan laboratorium fisika material ) 1 2. LATAR BELAKANG MASALAH
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal,
1 I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal, maupun campuran metal-organik yang dapat memiliki sifat-sifat sebagai konduktor, semikonduktor,
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1. Waktu dan Tempat Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Fisika Material Departemen Fisika Institut Pertanian Bogor dimulai bulan Mei 2010 sampai Bulan Mei 2011 3.2.
Lebih terperinciKARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM)
KARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM) Kaspul Anuwar 1, Rahmi Dewi 2, Krisman 2 1 Mahasiswa Program S1 Fisika FMIPA-Universitas
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciPEMBENTUKAN LAPISAN TIPIS TiC MENGGUNAKAN METODE PIRAC : OKSIDASI PADA 980 o C DI UDARA
PEMBENTUKAN LAPISAN TIPIS TiC MENGGUNAKAN METODE PIRAC : OKSIDASI PADA 980 o C DI UDARA Penyusun: Dian Agustinawati 1110.100.061 Dosen Pembimbing: Prof. Dr. Suasmoro, DEA Jurusan Fisika Fakultas Matematika
Lebih terperinciSintesis Komposit TiO 2 /Karbon Aktif Berbasis Bambu Betung (Dendrocalamus asper) dengan Menggunakan Metode Solid State Reaction
Sintesis Komposit TiO 2 /Karbon Aktif Berbasis Bambu Betung (Dendrocalamus asper) dengan Menggunakan Metode Solid State Reaction Yuliani Arsita *, Astuti Jurusan Fisika Universitas Andalas * yulianiarsita@yahoo.co.id
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
37 BAB III METODE PENELITIAN Metode yang digunakan dalam pembuatan lapisan film tebal CuFe O 4 yaitu dengan menggunakan screen printing (penyablonan). Teknik screen printing merupakan salah satu metode
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciMETODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN Penelitian tentang film tipis nanopartikel Au ini menggunakan metode evaporasi yang dilakukan secara eksperimen. Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui pengaruh temperatur
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Korosi merupakan salah satu permasalahan penting yang harus dihadapi oleh berbagai macam sektor industri di Indonesia terutama industri perkapalan. Tidak sedikit
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 20%, 30%, 40%, dan 50%. Kemudian larutan yang dihasilkan diendapkan
6 didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 3.3.3 Sintesis Kalsium Fosfat Sintesis kalsium fosfat dalam penelitian ini menggunakan metode sol gel. Senyawa kalsium fosfat diperoleh dengan mencampurkan serbuk
Lebih terperinci1 BAB I PENDAHULUAN. Salah satu industri yang cukup berkembang di Indonesia saat ini adalah
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Salah satu industri yang cukup berkembang di Indonesia saat ini adalah industri baja. Peningkatan jumlah industri di bidang ini berkaitan dengan tingginya kebutuhan
Lebih terperinciBab III Metoda Penelitian
28 Bab III Metoda Penelitian III.1 Lokasi Penelitian Sintesis senyawa target dilakukan di Laboratorium Kimia Anorganik dan Laboratorium Kimia Fisik-Material Departemen Kimia, Pengukuran fotoluminesens
Lebih terperinciAristanto Wahyu Wibowo, A. K. Prodjosantoso & Cahyorini K.
PREPARASI FILM TiO 2 DENGAN METODE HIDROTERMAL TiO 2 FILM PREPARATION BY HYDROTHERMAL METHOD Aristanto Wahyu Wibowo, A. K. Prodjosantoso & Cahyorini K. Jurusan Pendidikan Kimia, FMIPA Universitas Negeri
Lebih terperinciPengaruh Rapat Arus dan Asam Borat terhadap Kualitas dan Morfologi Hasil Elektrodeposisi Kobal pada Substrat Tembaga
Pengaruh Rapat Arus dan Asam Borat terhadap Kualitas dan Morfologi Hasil Elektrodeposisi Kobal pada Substrat Tembaga Siti Elin Huriyati, Abdul Haris, Didik Setiyo Widodo Laboratorium Kimia Analitik, Jurusan
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian Penelitian ini dilaksanakan di Laboratorium Penelitian Kimia Analitik, Program Studi Kimia FMIPA ITB sejak September 2007 sampai Juni 2008. III.1 Alat dan Bahan Peralatan
Lebih terperinciGambar 3.1 Diagram alir penelitian
BAB 3 METODE PENELITIAN 3.1 Bahan dan Peralatan Penelitian Bahan-bahan utama yang digunakan dalam penelitian ini antara lain bubuk magnesium oksida dari Merck, bubuk hidromagnesit hasil sintesis penelitian
Lebih terperinciPENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN
J. Sains Tek., Desember 2006, Vol. 12, No. 3, Hal.: 149-153 ISSN 0853-733X PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN Erzam S. Hasan 1, A. Subagio 2, Sugianto 3, M. Budiman 4,
Lebih terperinciBAB IV ANALISA DATA & PEMBAHASAN
BAB IV ANALISA DATA & PEMBAHASAN Variasi kecepatan stiring 800 rpm, variasi temperatur sintering 700, 800, 900 C Variasi temperatur 700 C = struktur kristal tetragonal, fase nya anatase, no PDF 01-086-1156,
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciSintesis Lapis Tipis Fotokatalis ZnO-TiO 2 Menggunakan Metode Sol Gel dengan PEG (Polyethylene Glycol) sebagai Pelarut
Jurnal ILMU DASAR, Vol. 13 No. 1, Januari 2012: 1-5 1 Sintesis Lapis Tipis Fotokatalis ZnO-TiO 2 Menggunakan Metode Sol Gel dengan PEG (Polyethylene Glycol) sebagai Pelarut Synthesis Thin Layer ZnO-TiO
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di
BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di Laboratorium Departemen Fisika, FMIPA, Universitas Indonesia, Depok
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciPREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN
Preparasi dan Karakterisasi.(Iin Astarinugrahini) 298 PREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN PREPARATION AND CHARACTERIZATION
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
Bab IV Hasil dan Pembahasan IV.1 Serbuk Awal Membran Keramik Material utama dalam penelitian ini adalah serbuk zirkonium silikat (ZrSiO 4 ) yang sudah ditapis dengan ayakan 400 mesh sehingga diharapkan
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TiO 2 MENGGUNAKAN PREKURSOR TiCl 4 UNTUK APLIKASI KACA SELF CLEANING DAN ANTI FOGGING
SINTESIS LAPISAN TiO 2 MENGGUNAKAN PREKURSOR TiCl 4 UNTUK APLIKASI KACA SELF CLEANING DAN ANTI FOGGING Anggi Pravita R, Dahyunir Dahlan Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis,
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. perlakuan panas atau annealing pada lapisan sehingga terbentuk butiran-butiran
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen dengan membuat lapisan tipis Au di atas substrat Si wafer, kemudian memberikan
Lebih terperinciMikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13, No. 2, April 2010 hal 55-60 Mikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel Heri Sutanto 1), Iis Nurhasanah 1), Istadi 2), Maryanto
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Perkembangan nanoteknologi terus dilakukan oleh para peneliti dari dunia akademik maupun dari dunia industri. Para peneliti seolah berlomba untuk mewujudkan karya
Lebih terperinciPENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR OPTIMUM DOPED DOPING ELEKTRON Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor PENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer.
10 dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil sintesis paduan CoCrMo Pada proses preparasi telah dihasilkan empat sampel serbuk paduan CoCrMo dengan komposisi
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL Heri Sutanto, Iis Nurhasanah, Indras Marhaendrajaya, Ahmad Taufani, Luluk L. Badriyah, dan Wahyu Ambikawati Laboratorium
Lebih terperinciWidyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: ISSN
Widyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: 22-27 ISSN 1410-5357 Penentuan Struktur Kristal dan Komposisi Kimia Lapisan Tipis Sn(Se 0,5 S 0,5 ) Hasil Preparasi Teknik Evaporasi untuk Aplikasi Sel Surya
Lebih terperinciStudi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, 2005, 13-22 13 Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD S. Amiruddin 1), I. Usman
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Pada saat ini pembangunan mengalami pertumbuhan yang sangat pesat, seperti pembangunan fisik kota, industri dan transportasi. Pada pertumbuhan pembangunan tersebut
Lebih terperinciSINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOPARTIKEL TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) MENGGUNAKAN METODE SONOKIMIA
SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOPARTIKEL TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) MENGGUNAKAN METODE SONOKIMIA Astuti * dan Sulastriya Ningsi Laboratrium Fisika Material, Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciLOGO. STUDI EKSPANSI TERMAL KERAMIK PADAT Al 2(1-x) Mg x Ti 1+x O 5 PRESENTASI TESIS. Djunaidi Dwi Pudji Abdullah NRP
LOGO PRESENTASI TESIS STUDI EKSPANSI TERMAL KERAMIK PADAT Al 2(1-x) Mg x Ti 1+x O 5 Djunaidi Dwi Pudji Abdullah NRP. 1109201006 DOSEN PEMBIMBING: Drs. Suminar Pratapa, M.Sc, Ph.D. JURUSAN FISIKA FAKULTAS
Lebih terperinci350 0 C 1 jam C. 10 jam. 20 jam. Pelet YBCO. Uji Konduktivitas IV. HASIL DAN PEMBAHASAN. Ba(NO 3 ) Cu(NO 3 ) 2 Y(NO 3 ) 2
Y(NO 3 ) 2 Pelarutan Pengendapan Evaporasi 350 0 C 1 jam 900 0 C 10 jam 940 0 C 20 jam Ba(NO 3 ) Pelarutan Pengendapan Evaporasi Pencampuran Pirolisis Kalsinasi Peletisasi Sintering Pelet YBCO Cu(NO 3
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciPENGARUH SUHU DEPOSISI LAPISAN TIPIS TiN TERHADAP SIFAT MEKANIK METAL HASIL PLASMA SPUTTERING
138 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. PENGARUH SUHU DEPOSISI LAPISAN TIPIS TiN TERHADAP SIFAT MEKANIK METAL HASIL PLASMA SPUTTERING Wirjoadi, Bambang Siswanto, Sudjatmoko Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Nanoteknologi merupakan teknologi masa depan, tanpa kita sadari dengan
1 I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Nanoteknologi merupakan teknologi masa depan, tanpa kita sadari dengan nanoteknologi tersebut berbagai aspek persoalan dapat kita selesaikan (Anonim A, 2012). Pengembangan
Lebih terperinciNama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si. Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 09 Januari 1963
CURRICULUM VITEA/BIODATA BIODATA LENGKAP Nama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si. Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 09 Januari 1963 Jenis Kelamin : Perempuan NIP : 196301091994022001 Pangkat/Jabatan/Gol.
Lebih terperinciPROGRAM STUDI FISIKA JURUSAN PENDIDIKAN FISIKA
PENGARUH PERBEDAAN TEMPERATUR KRISTALISASI TERHADAP KARAKTERISTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR Pb(Se 0,8 Te 0,2 ) HASIL PREPARASI DENGAN METODE BRIDGMAN SKRIPSI Diajukan kepada Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan
Lebih terperinciIII. METODOLOGI PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Februari 2013 sampai dengan Juni 2013 di
III. METODOLOGI PENELITIAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Februari 2013 sampai dengan Juni 2013 di Laboratorium Fisika Material FMIPA Unila, Laboratorium Kimia Instrumentasi
Lebih terperinciDiterima April 2005, disetujui untuk dipublikasi Nopember 2005
Karakteristik Struktur dan Listrik Film Tipis GaN yang Ditumbuhkan di atas Substrat Si(111) dengan Metode Plasma Assisted-Metalorganic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) Heri Sutanto 1,), Agus Subagio
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciBAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang
25 BAB III METODE PELAKSANAAN Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang dilakukan di laboratorium. Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis LiTaO 3 adalah metode spin-coating.
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilakukan pada bulan Februari hingga Mei 2012 di Laboratorium. Fisika Material, Laboratorium Kimia Bio Massa,
III. METODE PENELITIAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilakukan pada bulan Februari hingga Mei 2012 di Laboratorium Fisika Material, Laboratorium Kimia Bio Massa, Laboratorium Kimia Instrumentasi
Lebih terperinci