BAB... KATA PENGANTAR

Ukuran: px

Mulai penontonan dengan halaman:

Download "BAB... KATA PENGANTAR"

Hengki Hadiman
7 tahun lalu
Tontonan:

4 Teknik Surface Acoustic Wave; Pembuatan Sensor Layar Sentuh, oleh Dr. Ir. Saludin Muis, M.Kom. Hak Cipta 2015 pada penulis GRAHA ILMU Ruko Jambusari 7A Yogyakarta Telp: ; Fax: ; Hak Cipta dilindungi undang-undang. Dilarang memper banyak atau memindahkan sebagian atau seluruh isi buku ini dalam bentuk apa pun, secara elektronis maupun mekanis, termasuk memfotokopi, merekam, atau dengan teknik perekaman lainnya, tanpa izin tertulis dari penerbit. ISBN: Cetakan I, tahun 2015

5 BAB... KATA PENGANTAR ejauh ini metode kapasitif dalam pembuatan layar sentuh merupakan metode paling stabil dan banyak dipakai dewasa ini, namun metode ini termasuk rumit dan biaya relatif tinggi. Adapun metode lain selain resistif masih dalam tahapan uji coba karena kendala berbagai aspek teknis sedangkan metode SAW/Surface Acoustic Wave memiliki keterbatasan dalam hal sensitivitas dan dimensi permukaan alat. Meskipun demikian, metode SAW sangat menarik untuk dipelajari dan aplikasinya dalam pembuatan layar sentuh benar-benar membawa banyak penyederhanaan dalam hal produksi dan biaya. Penulis berharap lewat buku ini, di mana teknologi layar sentuh yang menyangkut skala nano meter yang berkesan canggih dan mahal, dapat dipahami pembaca dan menjadikannya sesuatu yang biasa, dan juga dapat menjadi sebuah deskripsi yang baik untuk bidang terkait bila di kemudian hari bangsa Indonesia memiliki kesempatan memasuki dunia teknologi nano yang canggih yang masih menjadi milik negara maju saat ini. Penulis mengucapkan terima kasih kepada orang yang berperan besar dan mengubah perjalanan hidup penulis, yaitu Ibu Saini (Alm), T. Oh Huan (Alm), Albert Ray J, Alexander Rex, Ibu Maria Dwi K dan Ibu Rajani Tjandra. Penulis

6 vi Teknik Surface Acoustic Wave; Pembuatan Sensor Layar Sentuh

7 BAB... DAFTAR ISI KATA PENGANTAR DAFTAR ISI DAFTAR GAMBAR PENDAHULUAN BAB I SEKILAS TEORI TENTANG SAW Aplikasi Teori Surface Acoustic Wave/SAW pada Bidang Sensor Pengantar Model Surface Acoustik Wave/SAW untuk Respon Sensor Gelombang Akustik Permukaan: SAW dan SH-SAW Pengkarakteristikan Bahan Pemodelan Alat SAW Model Elemen Terbatas Batasan dari Kedua Pendekatan Aplikasi SAW dalam Pembuatan Layar Sentuh 27 BAB II PEMBUATAN SPUTTER LAPISAN KONDUKTIF Garis Besar Teori Sputter Aplikasi Proses Sputter Penjelasan Pembentukan Lapisan Konduktif ITO 68 DAFTAR PUSTAKA 95 LAMPIRAN 97 v vii ix xii -oo0oo-

8 viii Teknik Surface Acoustic Wave; Pembuatan Sensor Layar Sentuh

9 BAB... DAFTAR GAMBAR Gambar 1.1 Alat SAW Dasar 2 Gambar 1.2 Alat SAW Tipe Mode Love 2 Gambar 1.3 Respon Maksimum 4 Gambar 1.4 Gelombang Lamb Simteris dan Tak Simetris 4 Gambar 1.5 Keluaran Elektrik Sebagai Respon Adanya Sentuhan 5 Gambar 1.6 Perambatan Gelombang Rayleigh 6 Gambar 1.7 Perambaran Gelombang Horisontal pada Permukaan 7 Gambar 1.8 (a) Sistem Koordinat, (b) Perpindahan dan Profil Potensial Elektrik LiTaO3 7 Gambar 1.9 SAW dalam Aplikasi Sebagai Peraba 7 Gambar 1.10 Hasil Superposisi Gelombang dari Perpindahan Permukaan 12 Gambar 1.11 Kecepatan SAW dan Atenuasi Vs Pergeseran Fase Gelombang Permukaan 15 Gambar 1.12 Respon Hidrogen SAW untuk Beda Struktur Test 16 Gambar 1.13 Atenuasi dan Respon Kecepatan dari Efek Akustik untuk Lapisan Film Ni pada 97MHz 18 Gambar 1.14 Permitivitas dan Konduktivitas dari Respon SH-SAW 19 Gambar 1.15 Alat SAW, (a) 2 Dimensi, (b) 3 Dimensi 25 Gambar 1.16 (a) Bentuk Tegangan Masukan, (b) Respon Frekuensi 26 Gambar 1.17 Perambatan Gelombang Akustik Permukaan pada Substrate Lithium Niobate Sepanjang Arah ( ) 27 Gambar 2.1 Transmisi Optik Tipikal Film ITO 70 Gambar 2.2 (a) Struktur Pita Sn2O3 Asli, (b) Setelah Doping Sn 71 Gambar 2.3 Prinsip Sputter 72 Gambar 2.4 Skema Pijaran Pemuatan Muatan 73 Gambar 2.5 Diagram Sputter Magetron 75

10 x Teknik Surface Acoustic Wave; Pembuatan Sensor Layar Sentuh Gambar 2.6 Diagram Proses Pembentukan Film Tipis 77 Gambar 2.7 Pengaruh Tekanan Gas dan Suhu Substrate pada Pertumbuhan Film Tipis 78 Gambar 2.8 Resistivitas, Transmisi Cahaya dan Ketebalan ITO 79 Gambar 2.9 Ketebalan Film ITO dan Distribusi Transmisi Cahaya (550 nm) 81 Gambar 2.10 Ketebalan Film ITO dan Distribusi Warna/CIE Lab 82 Gambar 2.11 Karakteristik Permukaan Film dengan Tebal Film dari 2 nm Sampai 100 nm 85 Gambar 2.12 Analisa Elemen pada Lapisan Film ITO dengan EDX 86 Gambar 2.13 Tingkat Kekasaran Permukaan Film ITO dengan Ketebalan Beda 86 Gambar 2.14 Perubahan Resistansi Film ITO Berdasarkan Hasil Tes di Atas 89 Gambar 2.15 Oksigen 4sccm, 6.5sccm, 9sccm, 11.5nm dan Kekasaran Permukaan ITO 91 Gambar L.1 (a) Ketergantungan Konduktivitas pada Antenuasi, (b) Perubahan Relatif Kecepatan Suara, untuk SAW pada Substrate Piezoelektrik 101 Gambar L.2 Normalisasi Potensial Piezoelektrik untuk SAW GaAs 102 Gambar L.3 Sistem Pelapisan Semikonduktor untuk Pengujian 103 Gambar L.4 Skema gambar Internal/Layout Sampel 103 Gambar l.5 (a) Medan Magnet Tergantung Atenuasi SAW, (b) Perubahan Kecepatan SAW, (c) Konduktivitas Magnet 104 Gambar L.6 Bias Gerbang Tergantung pada Atenuasi SAW pada Hetero Sambungan Semikonduktor 105 Gambar L.7 Skema Sistem Campuran dengan Substrate Piezoelektrik Kuat dan Hetero Sambungan Semikonduktor Mobil Tinggi 107 Gambar L.8 Transmisi SAW dan Perubahan Kecepatan untuk Struktur Semikonduktor/Piezoelektrik Campuran 108 Gambar L.9 Sebuah VCO Berdasarkan Struktur Semikonduktor/Piezoelektrik Campuran 109 Gambar L.10 Tegangan Tergantung pada Hanyutan Fasa dan Intensitas SAW untuk Sampel Campuran dengan Gerbang Terpisah 110 Gambar L.11 Bias Gerbang Tergantung pada Atenuasi dan Kecepatan Hanyutan Fase SAW pada Semikonduktor Hetero Sambungan dengan Variabel Kerapatan Pembawa 112 Gambar L.12 Skema Sample Semikonduktor/Piezoelektri Campuran untuk Pengamatan Transpor Muatan Akustik/ACT 113 Gambar L.13 ACT pada Gambar 12. Sinyal ACT Sebagai Fungsi Waktu Terbang pada Muatan Terdeteksi 114 Gambar L.14 Foto Luminasi pada Sumur Kuantum Semikonduktor di bawah Pengaruh SAW 116 Gambar L.15 Penyelidik Langsung untuk Ionisasi Exciton pada Medan Piezoelektrik Kuat yang Menyertai SAW pada Substrate GaAs 117 Gambar L.16 Konduksi Termodulasi Secara Lateral dan Pita Valensi pada Sumur Kuantum Semikonduktor 118

dokumen-dokumen yang mirip

TEKNOLOGI NANO JILID 1 Dalam Pembuatan Sensor Layar Sentuh

TEKNOLOGI NANO JILID 1 Dalam Pembuatan Sensor Layar Sentuh Oleh : Dr. Ir. Saludin Muis, M.Kom Edisi Pertama Cetakan Pertama, 2013 Hak Cipta 2013 pada penulis, Hak Cipta dilindungi undang-undang. Dilarang